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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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专题:中国科学院半导体研究所(2009年前)
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在硅衬底上生长的氮化镓薄膜结构及其生长方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-08-26, 公开日期: 4005
发明人:
王晓亮
;
罗卫军
;
郭伦春
;
肖红领
;
李建平
;
李晋闽
Adobe PDF(592Kb)
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浏览/下载:1487/236
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提交时间:2010/03/19
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhang B
;
Chen J
;
Wang X
;
Wu AM
;
Luo JX
;
Zhang MA
;
Wu YX
;
Zhu JJ
;
Yang H
;
Zhang B Chinese Acad Sci Shanghai Inst Microsyst & Informat Technol State Key Lab Funct Mat Informat Shanghai 200050 Peoples R China. E-mail Address: bozhang@mail.sim.ac.cn
Adobe PDF(419Kb)
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浏览/下载:1307/325
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提交时间:2010/03/08
无权访问的条目
期刊论文
作者:
杨威
;
姬扬
;
罗海辉
;
阮学忠
;
王玮竹
;
赵建华
Adobe PDF(1043Kb)
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浏览/下载:1037/336
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提交时间:2010/11/23
氮化镓基双异质结场效应晶体管结构及制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-17, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
王晓亮
;
马志勇
;
冉学军
;
肖红领
;
王翠梅
;
胡国新
;
唐健
;
罗卫军
Adobe PDF(986Kb)
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浏览/下载:1685/189
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提交时间:2009/06/11
氮化镓基异质结场效应晶体管结构及制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-12, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
马志勇
;
王晓亮
;
冉军学
;
胡国新
;
肖红领
;
王翠梅
;
罗卫军
Adobe PDF(1062Kb)
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浏览/下载:1575/181
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提交时间:2009/06/11
宽带隙氮化镓基异质结场效应晶体管结构及制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
王晓亮
;
马志勇
;
胡国新
;
肖红领
;
冉军学
;
王翠梅
;
罗卫军
Adobe PDF(1354Kb)
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浏览/下载:1520/172
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提交时间:2009/06/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Wang, XL
;
Chen, TS
;
Xiao, HL
;
Wang, CM
;
Hu, GX
;
Luo, WJ
;
Tang, J
;
Guo, LC
;
Li, JM
;
Luo, WJ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: luoweijun@mail.semi.ac.cn
Adobe PDF(441Kb)
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浏览/下载:1229/449
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提交时间:2010/03/08
AlGaN/GaN HEMT材料及微波功率器件研究
学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2008
作者:
罗卫军
Adobe PDF(3587Kb)
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浏览/下载:1178/80
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提交时间:2009/04/13
量子输运的主方程方法以及在量子点系统中的应用
学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2008
作者:
骆钧炎
Adobe PDF(1358Kb)
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浏览/下载:982/19
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提交时间:2009/04/13
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Wei, T
;
Ruan, J
;
Fan, ZJ
;
Luo, GH
;
Wei, F
;
Fan, ZJ, Harbin Engn Univ, Sch Mat Sci & Chem Engn, Minist Educ, Key Lab Superlight Mat & Surface Technol, Harbin 150001, Heilongjiang, Peoples R China. 电子邮箱地址: fanzhj666@163.com
Adobe PDF(1321Kb)
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浏览/下载:1104/434
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提交时间:2010/03/08