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具有超薄碳化硅中间层的硅基可协变衬底及制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨少延;  杨霏;  李成明;  范海波;  陈涌海;  刘志凯;  王占国
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Jin P;  Li CM;  Zhang ZY;  Liu FQ;  Chen YH;  Ye XL;  Xu B;  Wang ZG;  Jin, P, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: pengjin@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang ZY;  Jin P;  Li CM;  Ye XL;  Meng XQ;  Xu B;  Liu FQ;  Wang ZG;  Zhang ZY,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Key Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Jin P;  Meng XQ;  Zhang ZY;  Li CM;  Xu B;  Liu FQ;  Wang ZG;  Li YG;  Zhang CZ;  Pan SH;  Jin P,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Key Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China. 电子邮箱地址: pengjin@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Jin P;  Meng XQ;  Zhang ZY;  Li CM;  Qu SC;  Xu B;  Liu FQ;  Wang ZG;  Li YG;  Zhang CZ;  Pan SH;  Jin P,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Key Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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