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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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研究单元&专题
中国科学院半导体研... [16]
作者
李成明 [4]
陈良惠 [1]
曹玉莲 [1]
李路 [1]
渠红伟 [1]
文献类型
专利 [8]
期刊论文 [8]
发表日期
2007 [16]
语种
中文 [14]
英语 [2]
出处
ACTA PHYSI... [2]
CHINESE PH... [2]
物理学报 [2]
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共16条,第1-10条
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发表日期:2007
专题:中国科学院半导体研究所(2009年前)
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95
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多功能半导体晶片键合装置
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-12-19, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
杨国华
;
何国荣
;
石岩
;
宋国峰
;
郑婉华
;
陈良惠
Adobe PDF(727Kb)
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浏览/下载:1556/205
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提交时间:2009/06/11
用于键合的清洗和干燥装置
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-12-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
何国荣
;
石岩
;
杨国华
;
郑婉华
;
陈良惠
Adobe PDF(583Kb)
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浏览/下载:1491/224
  |  
提交时间:2009/06/11
具有氮化铪薄中间层的SOI型复合可协变层衬底
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
杨少延
;
陈涌海
;
李成明
;
范海波
;
王占国
Adobe PDF(924Kb)
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浏览/下载:1326/171
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提交时间:2009/06/11
具有金属铪薄中间层的SOI型复合可协变层衬底
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
杨少延
;
陈涌海
;
李成明
;
范海波
;
王占国
Adobe PDF(931Kb)
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浏览/下载:1382/176
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提交时间:2009/06/11
具有超薄碳化硅中间层的硅基可协变衬底及制备方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
杨少延
;
杨霏
;
李成明
;
范海波
;
陈涌海
;
刘志凯
;
王占国
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浏览/下载:1413/193
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提交时间:2009/06/11
利用可协变衬底制备生长氧化锌薄膜材料的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
杨少延
;
陈涌海
;
李成明
;
范海波
;
王占国
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浏览/下载:1185/158
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提交时间:2009/06/11
砷化镓基量子级联半导体激光器材料及生长方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-05-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
李路
;
刘峰奇
;
刘俊岐
;
郭瑜
;
周华兵
;
梁凌燕
;
吕小晶
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浏览/下载:1642/198
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提交时间:2009/06/11
利用温度改变不同热膨胀系数材料的晶片键合的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-04-18, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
杨国华
;
何国荣
;
宋国锋
;
石岩
;
郑婉华
;
陈良惠
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浏览/下载:1405/170
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提交时间:2009/06/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhou WZ (Zhou Wen-Zheng)
;
Lin T (Lin Tie)
;
Shang LY (Shang Li-Yan)
;
Huang ZM (Huang Zhi-Ming)
;
Cui LJ (Cui Li-Jie)
;
Li DL (Li Dong-Lin)
;
Gao HL (Gao Hong-Ling)
;
Zeng YP (Zeng Yi-Pine)
;
Guo SL (Guo Shao-Ling)
;
Gui YS (Gui Yong-Sheng)
;
Chu JH (Chu Jun-Hao)
;
Zhou, WZ, Chinese Acad Sci, Shanghai Inst Tech Phys, Natl Lab Infrared Phys, Shanghai 200083, Peoples R China. 电子邮箱地址: jhchu@mail.sitp.ac.en
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提交时间:2010/03/29
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhou WZ (Zhou Wen-Zheng)
;
Lin T (Lin Tie)
;
Shang LY (Shang Li-Yan)
;
Huang ZM (Huang Zhi-Ming)
;
Zhu B (Zhu Bo)
;
Cui LJ (Cui Li-Jie)
;
Gao HL (Gao Hong-Ling)
;
Li DL (Li Dong-Lin)
;
Guo SL (Guo Shao-Ling)
;
Gui YS (Gui Yong-Sheng)
;
Chu JH (Chu Jun-Hao)
;
Zhou, WZ, Chinese Acad Sci, Shanghai Inst Tech Phys, Natl Lab Infrared Phys, Shanghai 200083, Peoples R China. 电子邮箱地址: jhchu@mail.sitp.ac.cn
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提交时间:2010/03/29