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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Bian SB;  Li GR;  Yan T;  Bing H;  Li YX;  Yang FH;  Zheng HZ;  Bian, SB, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhu, L;  Zheng, HZ;  Tan, PH;  Zhou, X;  Ji, Y;  Yang, FH;  Li, GR;  Zeng, YX;  Zhu, L, Sichuan Univ, Coll Phys Sci & Technol, Chengdu 610064, Peoples R China. 电子邮箱地址: zl_pin@sohu.com
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Homoepitaxial growth and MOS structures of 4H-SiC on off oriented n-type (0001)Si-faces 会议论文
2004 7TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED CIRCUITS TECHNOLOGY, Beijing, PEOPLES R CHINA, OCT 18-21, 2004
作者:  Sun, GS;  Ning, J;  Zhang, YX;  Gao, X;  Wang, L;  Zhao, WS;  Zeng, YP;  Li, JM;  Sun, GS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
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4h-sic  Lpcvd Homoepitaxial Growth  Thermal Oxidization  Mos Structures  Hot-wall Cvd  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Sun, GS;  Zhang, YX;  Gao, X;  Wang, L;  Zhao, WS;  Zeng, YP;  Li, JM;  Sun, GS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: gshsun@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  卞松保;  李桂荣;  唐艳;  胡冰;  李月霞;  杨富华;  郑厚植
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  朱莉;  郑厚植;  谭平恒;  周霞;  姬扬;  杨富华;  李桂荣;  曾宇昕
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