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中国科学院半导体研究所机构知识库
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发表日期:2002
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WOS被引频次升序
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Characterization of diphasic nc-Si/a-Si : H thin films and solar cells
会议论文
CONFERENCE RECORD OF THE TWENTY-NINTH IEEE PHOTOVOLTAIC SPECIALISTS CONFERENCE 2002, NEW ORLEANS, LA, MAY 19-24, 2002
作者:
Zhang SB
;
Xu YY
;
Hu ZH
;
Wang YQ
;
Zeng XB
;
Diao HW
;
Wang WJ
;
Kong GL
;
Liao XB
;
Zhang SB Chinese Acad Sci Inst Semicond State Lab Surface Phys Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Silicon
Raman
Correlation between Er3+ emission and the microstructure of a-SiOx : H < Er > films
会议论文
INTERNATIONAL JOURNAL OF MODERN PHYSICS B, 16 (28-29), XIAN, PEOPLES R CHINA, JUN 10-14, 2002
作者:
Chen CY
;
Chen WD
;
Song SF
;
Hsu CC
;
Chen CY Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Hydrogenated Amorphous-silicon
Photoluminescence
Luminescence
Intensity
System
Characterization of defects and whole wafer uniformity of annealed undoped semi-insulating InP wafers
会议论文
MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY, 91, RIMINI, ITALY, SEP 24-28, 2001
作者:
Zhao YW
;
Sun NF
;
Dong HW
;
Jiao JH
;
Zhao JQ
;
Sun TN
;
Lin LY
;
Sun NF Hebei Semicond Res Inst POB 179-40 Shijiazhuang 050002 Hebei Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Indium Phosphide
Semi-insulating
Annealing
Picts
Photoluminescence
Semiinsulating Inp
Indium-phosphide
Fe
Photoluminescence
Temperature
Dielectric properties of Bi2Ti2O7 films grown on Si(100) substrate by APMOCVD
会议论文
FERROELECTRICS, 271, MADRID, SPAIN, SEP 03-07, 2001
作者:
Wang H
;
Shang SX
;
Yao WF
;
Hou Y
;
Xu XH
;
Wang D
;
Wang M
;
Yu JZ
;
Wang H Shandong Univ State Key Lab Crystal Mat Jinan 250100 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Bi2ti2o7
Thin Film
Mocvd
(111) Orientation
Chemical-vapor-deposition
Crystal Thin-films
In situ doping of 3C-SiC grown on (0001) sapphire substrates by LPCVD
会议论文
SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2001, PTS 1 AND 2, PROCEEDINGS, 389-3, TSUKUBA, JAPAN, OCT 28-NOV 02, 2001
作者:
Sun GS
;
Luo MC
;
Wang L
;
Zhu SR
;
Li JM
;
Zeng YP
;
Lin LY
;
Sun GS Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
3c-sic
In-situ Doping
Low-pressure Cvd
Sapphire Substrate
Chemical-vapor-deposition
Competition Epitaxy
Impact of wide bandgap p-type nc-Si on the performance of a-Si solar cells
会议论文
INTERNATIONAL JOURNAL OF MODERN PHYSICS B, 16 (1-2), SINGAPORE, SINGAPORE, JUL 01-06, 2001
作者:
Deng X
;
Wang W
;
Han S
;
Povolny H
;
Du W
;
Liao X
;
Xiang X
;
Liao X Chinese Acad Sci Inst Semicond State Lab Surface Phys Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Wang YQ
;
Liao XB
;
Diao HW
;
Cheng WC
;
Li GH
;
Chen CY
;
Zhang SB
;
Xu YY
;
Chen WD
;
Kong GL
;
Wang YQ,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,State Lab Surface Phys,Beijing 100083,Peoples R China.
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Sun GS
;
Luo MC
;
Wang L
;
Zhu SR
;
Li JM
;
Zeng YP
;
Lin LY
;
Sun GS,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Beijing 100083,Peoples R China.
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Chen CY
;
Chen WD
;
Song SF
;
Hsu CC
;
Chen CY,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Beijing 100083,Peoples R China.
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浏览/下载:743/193
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Luo MC
;
Wang XL
;
Li JM
;
Liu HX
;
Wang L
;
Sun DZ
;
Zeng YP
;
Lin LY
;
Luo MC,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Novel Semicond Mat Lab,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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提交时间:2010/08/12