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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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专题:中国科学院半导体研究所(2009年前)
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Morphology and wetting layer properties of InAs/GaAs nanostructures
会议论文
PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, Gyeongju, SOUTH KOREA, MAY 11-16, 2008
作者:
Zhao C
;
Chen YH
;
Xu B
;
Tang CG
;
Wang ZG
;
Chen, YH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/09
Molecular-beam Epitaxy
AlGaN/AlN/GaN/InGaN/GaN DH-HEMTs with improved mobility grown by MOCVD
会议论文
2008 9TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED-CIRCUIT TECHNOLOGY, Beijing, PEOPLES R CHINA, OCT 20-23, 2008
作者:
Tang J
;
Wang XL
;
Chen TS
;
Xiao HL
;
Ran JX
;
Zhang ML
;
Hu GX
;
Feng C
;
Hou QF
;
Wei M
;
Li JM
;
Wang ZG
;
Tang, J, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Ctr Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/09
Algan/gan Hemts
Pockels effect in GaN/Al-x,Gal(1-x)N superlattice with different quantum structures - art. no. 69841G
会议论文
THIN FILM PHYSICS AND APPLICATIONS,SIXTH INTERNATIONAL CONFERENCE, Shanghai, PEOPLES R CHINA, SEP 25-28, 2007
作者:
Chen P
;
Lib SP
;
Tu XG
;
Zuo YH
;
Zhao L
;
Chen SW
;
Li JC
;
Lin W
;
Chen HY
;
Liu DY
;
Kang JY
;
Yu YD
;
Yu JZ
;
Wang QM
;
Chen, P, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/09
Pockels Effect
On the performance analysis and design of a novel shared-layer integrated devices using RCE-p-i-n-PD/SHBT - art. no. 67820J
会议论文
OPTOELECTRONIC MATERIALS AND DEVICES II, Wuhan, PEOPLES R CHINA, NOV 02-05, 2007
作者:
Shou-Li Z
;
De-Ping X
;
Ya-Li I
;
Hai-Lin C
;
Yin-Zhe C
;
Ang M
;
Ji-He L
;
Jun-Hua G
;
Shou-Li, Z, Zhejiang Univ Technol, Coll Informat Engn, Hangzhou 310014, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/09
Rce- P-i-n-pd
Anomalous temperature-dependent bimodal size evolution of InAs quantum dots on vicinal GaAs(100) substrates
会议论文
Proceedings of International Symposium on Biophotonics Nanophotonics and Metamaterials, Hangzhou, PEOPLES R CHINA, OCT 16-18, 2006
作者:
Liang S
;
Zhu HL
;
Zhou JT
;
Cheng YB
;
Pan JQ
;
Zhao LJ
;
Wang W
;
Liang, S, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/29
Chemical-vapor-deposition
Growth and characterization of semi-insulating GaN films grown by MOCVD
会议论文
JOURNAL OF RARE EARTHS, Beijing, PEOPLES R CHINA, OCT 16-19, 2005
作者:
Fang, CB
;
Wang, XL
;
Hu, GX
;
Wang, JX
;
Wang, CM
;
Li, JM
;
Wang, XL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: xlwang@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/29
Mocvd
Optical properties of inGaAs/GaAs quantum wells grown by Sb-assisted molecular beam epitaxy
会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, Singapore, SINGAPORE, JUL 03-08, 2005
作者:
Jiang, DS
;
Qu, YH
;
Ni, HQ
;
Wu, DH
;
Xu, YQ
;
Niu, ZC
;
Jiang, DS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: dsjiang@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/29
Molecular Beam Epitaxy
Study on surface morphology of GaN growth by MOCVD on GaN/Si(111) template
会议论文
JOURNAL OF RARE EARTHS, Beijing, PEOPLES R CHINA, OCT 16-19, 2005
作者:
Liu, Z
;
Wang, JX
;
Wang, XL
;
Hu, GX
;
Guo, LC
;
Liu, HX
;
Li, JP
;
Li, JM
;
Zeng, YP
;
Wang, JX, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: jxwang@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/29
Surface Morphology
High-performance EML grown on taper-masked pattern substrates by ultra-low-pressure MOCVD
会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, Singapore, SINGAPORE, JUL 03-08, 2005
作者:
Zhao, Q
;
Pan, JQ
;
Zhang, J
;
Zhu, HL
;
Wang, W
;
Zhao, Q, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: qzhao@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/29
Selective Area Growth
Leakage current analysis in AlGaInP/GaInP multi-quantum well lasers by the electrical derivative method - art. no. 60202F
会议论文
Optoelectronic Materials and Devices for Optical Communications丛书标题: PROCEEDINGS OF THE SOCIETY OF PHOTO-OPTICAL INSTRUMENTATION ENGINEERS (SPIE), Shanghai, PEOPLES R CHINA, NOV 07-10, 2005
作者:
Xu Y
;
Li YZ
;
Song GF
;
Gan QQ
;
Cao Q
;
Guo L
;
Chen LH
;
Xu, Y, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/29
Aigainp Laser Diodes