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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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中国科学院半导体研究... [1]
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2006 [1]
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半导体芯片结深的电解水阳极氧化显结方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-08-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
曾宇昕
;
王水凤
;
杨富华
;
曾庆城
Adobe PDF(512Kb)
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浏览/下载:1055/165
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提交时间:2009/06/11
缓解MOCVD工艺中硅衬底与氮化镓薄膜间应力的方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-06-11
发明人:
冯玉霞
;
杨少延
;
魏鸿源
;
焦春美
;
孔苏苏
Adobe PDF(1519Kb)
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浏览/下载:731/69
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提交时间:2014/11/24
利用硅衬底制备垂直结构氮化镓基发光二极管器件的方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-03-12
发明人:
杨少延
;
冯玉霞
;
魏鸿源
;
焦春美
;
赵桂娟
;
汪连山
;
刘祥林
;
王占国
Adobe PDF(1180Kb)
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浏览/下载:806/90
  |  
提交时间:2014/11/05
通用的多种材料间全限制量子点的自对准制备方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-08-01
发明人:
付英春
;
王晓峰
;
张加勇
;
白云霞
;
梁秀琴
;
马慧莉
;
季安
;
杨富华
Adobe PDF(890Kb)
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浏览/下载:893/86
  |  
提交时间:2014/10/29
通用的多种材料间全限制纳米线的自对准制备方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-25
发明人:
付英春
;
王晓峰
;
张加勇
;
白云霞
;
梁秀琴
;
马慧莉
;
季安
;
杨富华
Adobe PDF(708Kb)
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浏览/下载:871/124
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提交时间:2014/10/31
半极性面氮化镓基发光二极管及其制备方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12
发明人:
项若飞
;
汪连山
;
赵桂娟
;
金东东
;
王建霞
;
李辉杰
;
张恒
;
冯玉霞
;
焦春美
;
魏鸿源
;
杨少延
;
王占国
Adobe PDF(1070Kb)
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浏览/下载:808/1
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提交时间:2016/09/12
一种氮化铝一维纳米结构材料的制备方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人:
孔苏苏
;
李辉杰
;
冯玉霞
;
赵桂娟
;
魏鸿源
;
杨少延
;
王占国
Adobe PDF(1285Kb)
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浏览/下载:627/3
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提交时间:2016/08/30