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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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共46条,第1-10条
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发表日期:2005
专题:中国科学院半导体研究所(2009年前)
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氮化镓紫外色度探测器及其制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-28, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
赵德刚
;
杨辉
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浏览/下载:1311/168
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提交时间:2009/06/11
氮化镓基肖特基势垒高度增强型紫外探测器及制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-10-12, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
赵德刚
;
杨辉
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浏览/下载:857/134
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提交时间:2009/06/11
氮化镓基肖特基结构紫外探测器及制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-10-12, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
赵德刚
;
杨辉
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浏览/下载:863/140
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提交时间:2009/06/11
利用倒装焊技术制作氮化镓基发光二极管管芯的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-06-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
张书明
;
杨辉
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浏览/下载:982/140
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提交时间:2009/06/11
倒装焊技术制作氮化镓基发光二极管管芯的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-06-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
杨辉
;
张书明
;
王良臣
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浏览/下载:891/139
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提交时间:2009/06/11
大功率氮化镓基发光二极管的制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-06-08, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
张书明
;
杨辉
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浏览/下载:1104/150
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提交时间:2009/06/11
单光子探测装置的结构
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-06-01, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
刘伟
;
杨富华
;
曾宇昕
;
郑厚植
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浏览/下载:1108/170
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提交时间:2009/06/11
一种氢致解偶合的异质外延用柔性衬底
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-03-09, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
张志成
;
杨少延
;
黎大兵
;
刘祥林
;
陈涌海
;
朱勤生
;
王占国
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提交时间:2009/06/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Shen XM
;
Zhao DG
;
Liu ZS
;
Hu ZF
;
Yang H
;
Liang JW
;
Shen, XM, Tongji Univ, Inst Semicond & Informat Technol, 1239 Siping Rd, Shanghai 200092, Peoples R China. 电子邮箱地址: xmshen@mail.tongji.edu.cn
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浏览/下载:806/112
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提交时间:2010/03/17
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhou, SQ
;
Vantomme, A
;
Zhang, BS
;
Yang, H
;
Wu, MF
;
Vantomme, A, Katholieke Univ Leuven, Inst Voor Kern Stralingsfys, B-3001 Heverlee, Belgium. 电子邮箱地址: andre.vantomme@fys.kuleuven.ac.be
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浏览/下载:835/225
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提交时间:2010/03/17