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| 气源分子束外延生长锗硅异质结双极晶体管材料掺杂方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2002-10-16, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 黄大定; 李建平; 高斐; 林燕霞; 孙殿照; 刘金平; 朱世荣; 孔梅影
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| 1.3微米InGaAs/GaAs自组织量子点激光器材料及生长该材料的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2002-10-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 牛智川; 封松林; 杨富华; 王晓东; 汪辉; 李树英; 苗振华; 李树深
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| 波长可调谐电吸收调制分布反馈激光器和制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2002-08-28, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 刘国利; 王圩; 张静媛
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| 半导体模式转换器的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2002-04-03, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 刘国利; 王圩; 朱洪亮; 董杰
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| 选择区域外延制作电吸收调制分布反馈激光器的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2002-01-23, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 刘国利; 王圩; 陈娓兮; 朱洪亮
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| GaAs基InAlAs/InGaAs MM-HEMT材料生长与器件制作 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2002
作者: 崔利杰
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| InGaN量子点的 MOCVD生长及特性研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2002
作者: 李昱峰
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 梁晓甘; 江德生 ; 边历峰; 潘钟; 李联合; 吴荣汉
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 韩培德; 刘祥林; 袁海荣; 陈振; 李昱峰; 陆沅; 汪度; 陆大成; 王占国
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 冯志宏; 杨辉; 徐大鹏; 赵德刚; 王海; 段俐宏
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