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| 集成傅里叶变换红外原位监测系统的原子层沉积装置 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102492939A, 公开日期: 2012-08-29, 2012-08-29, 2012-08-29 发明人: 张峰; 孙国胜; 王雷; 赵万顺; 刘兴昉; 闫果果; 曾一平 Adobe PDF(523Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1372/230  |  提交时间:2012/08/29 |
| 采用金属源化学气相沉积技术制备极性可控氧化锌的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102181921A, 公开日期: 2012-08-29, 2012-08-29, 2012-08-29 发明人: 王晓峰; 段垚; 崔军朋; 曾一平 Adobe PDF(1676Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:2309/255  |  提交时间:2012/08/29 |
| 利用氧化锌提高LED光提取效率的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910084159.5, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 刘祯; 段垚; 王晓峰; 曾一平 Adobe PDF(390Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1583/269  |  提交时间:2011/08/31 |
| 采用MVPE两步法制备氧化锌透明电极的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010143078.0, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 王晓峰; 杨华; 刘祯; 曾一平; 王国宏 Adobe PDF(293Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1486/241  |  提交时间:2011/08/31 |
| 采用金属源化学气相沉积技术制备掺杂氧化锌的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010141024.0, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 王晓峰; 段垚; 刘祯; 曾一平 Adobe PDF(357Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1469/254  |  提交时间:2011/08/31 |
| 连续型HTCVD法碳化硅晶体生长装置 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102304763A, 公开日期: 2012-08-29, 2012-08-29, 2012-08-29 发明人: 刘兴昉; 郑柳; 董林; 闫果果; 王雷; 赵万顺; 孙国胜; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(575Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:2690/485  |  提交时间:2012/08/29 |
| HTCVD法碳化硅晶体生长装置 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102304698A, 公开日期: 2012-08-29, 2012-08-29, 2012-08-29 发明人: 刘兴昉; 董林; 郑柳; 闫果果; 王雷; 赵万顺; 孙国胜; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(621Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:2671/513  |  提交时间:2012/08/29 |
| 碳化硅PIN微结构的制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102254798A, 公开日期: 2012-08-29, 2012-08-29, 2012-08-29 发明人: 孙国胜; 吴海雷; 郑柳; 刘兴昉; 王雷; 赵万顺; 闫果果 Adobe PDF(312Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:2540/495  |  提交时间:2012/08/29 |