| 利用氧化锌提高LED光提取效率的方法 | |
| 刘祯; 段垚; 王晓峰; 曾一平 | |
| Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
| Date Available | 2011-08-31 |
| Country | 中国 |
| Subtype | 发明 |
| Abstract | 一种利用氧化锌提高LED光提取效率的方法，包括以下步骤：步骤1：取一GaN基发光二极管外延片；步骤2：在GaN基发光二极管外延片的出光面上生长一层ZnO单晶薄膜；步骤3：利用湿法化学腐蚀的方法，腐蚀ZnO单晶薄膜的表面，使ZnO单晶薄膜的表面在位错处出现腐蚀坑；步骤4：光刻生长有ZnO单晶薄膜的GaN基发光二极管外延片，在GaN基LED外延片上形成重复的LED基本结构单元，刻蚀LED基本结构单元的一侧形成一台面，制作出LED的基本芯片结构；步骤5：在LED的基本芯片结构的台面上制作n电极，在ZnO单晶薄膜的表面上或出光面上制作p电极，完成器件的制作。 |
| metadata_83 | 半导体材料科学中心 |
| Patent Number | CN200910084159.5 |
| Language | 中文 |
| Status | 公开 |
| Application Number | CN200910084159.5 |
| Patent Agent | 汤保平 |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22331 |
| Collection | 半导体材料科学中心 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 刘祯,段垚,王晓峰,等. 利用氧化锌提高LED光提取效率的方法. CN200910084159.5. |
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| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| CN200910084159.5.pdf（390KB） | 限制开放 | -- | Application Full Text | |||
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