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| 无权访问的条目 期刊论文 作者: X. F. Liu; z G. G. Yan; Z. W. Shen; Z. X.Wen; L. X. Tian; W. S. Zhao; L. Wang; M. Guan; F. Zhang; G. S. Sun; Y. P. Zeng Adobe PDF(761Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:192/0  |  提交时间:2018/06/15 |
| 水汽探测用激光芯片的制造方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102364771A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 于红艳; 周旭亮; 邵永波; 王宝军; 潘教青; 王圩 Adobe PDF(372Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1535/184  |  提交时间:2012/09/09 |
| 量子阱偏移光放大器和电吸收调制器的制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102162968A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 邵永波; 赵玲娟; 于红艳; 潘教青; 王宝军; 王圩 Adobe PDF(478Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1410/219  |  提交时间:2012/09/09 |
| 一氧化氮气体检测用激光芯片的制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102364772A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 于红艳; 周旭亮; 邵永波; 王宝军; 潘教青; 王圩 Adobe PDF(431Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1251/207  |  提交时间:2012/09/09 |
| 倒V型二氧化硅沟槽结构生长硅基砷化镓材料的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102243994A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 周旭亮; 于红艳; 王宝军; 潘教青; 王圩 Adobe PDF(308Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1338/183  |  提交时间:2012/09/09 |
| 应用于nMOS的硅基砷化镓材料结构的制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102263015A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 周旭亮; 于红艳; 王宝军; 潘教青; 王圩 Adobe PDF(281Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1227/163  |  提交时间:2012/09/09 |
| 运用V形沟槽的硅基砷化镓材料的制备 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102244007A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 周旭亮; 于红艳; 王宝军; 潘教青; 王圩 Adobe PDF(311Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1213/183  |  提交时间:2012/09/09 |
| 一种硅基半绝缘III-V族材料的制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-06-26 发明人: 周旭亮; 于红艳; 李士颜; 潘教青; 王圩 Adobe PDF(325Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:766/85  |  提交时间:2014/12/25 |
| 一种硅基III-V族nMOS器件的制作方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-05-15 发明人: 周旭亮; 于红艳; 李梦珂; 潘教青; 王圩 Adobe PDF(435Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:930/71  |  提交时间:2014/12/25 |
| 高质量低表面粗糙度的硅基砷化镓材料的制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-09-18 发明人: 周旭亮; 于红艳; 米俊萍; 潘教青; 王圩 Adobe PDF(327Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:874/66  |  提交时间:2014/11/17 |