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| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 王黎; 孙瑜; 赵晓凡; 娄采云; 陆丹; 赵玲娟; 王圩 Adobe PDF(335Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1411/385  |  提交时间:2011/08/16 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Sun Y (Sun Yu); Pan JAQ (Pan Jiao Qing); Zhao LJA (Zhao Ling Juan); Chen WX (Chen Weixi); Wang W (Wang Wei); Wang L (Wang Li); Zhao XAF (Zhao Xiao Fan); Lou CY (Lou Cai Yun); Sun, Y, Chinese AcadSci, InstSemicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: sunyu2006@semi.ac.cn Adobe PDF(536Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1193/529  |  提交时间:2010/11/14 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Hao GD (Hao Guo-Dong); Chen YH (Chen Yong-Hai); Fan YM (Fan Ya-Ming); Huang XH (Huang Xiao-Hui); Wang HB (Wang Huai-Bing); Hao, GD, Chinese Acad Sci, Suzhou Inst Nanotech & Nanobion, Nanodevices & Mat Div, Suzhou 215125, Peoples R China. Adobe PDF(1060Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1230/325  |  提交时间:2010/12/28 |
| 基于n-InP的单片集成的光逻辑门及其制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910093299.9, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 张云霄; 廖栽宜; 周帆; 赵玲娟; 王圩 Adobe PDF(927Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1475/190  |  提交时间:2011/08/31 |
| 一种超饱和掺杂半导体薄膜的制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-08-28 发明人: 王科范; 张华荣; 彭成晓; 曲胜春; 王占国 Adobe PDF(262Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:805/93  |  提交时间:2014/11/17 |
| 硫族元素超饱和掺杂硅红外探测器及其制作方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2014-04-30 发明人: 王科范; 彭成晓; 刘孔; 谷城; 曲胜春; 王占国 Adobe PDF(564Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:901/81  |  提交时间:2014/12/25 |
| 一种H2微刻蚀进行碳化硅离子激活的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30 发明人: 刘胜北; 何志; 刘斌; 刘兴昉; 杨香; 樊中朝; 王晓峰; 王晓东; 赵永梅; 杨富华; 孙国胜; 曾一平 Adobe PDF(349Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:742/0  |  提交时间:2016/08/30 |
| 一种碳化硅欧姆接触电极及其制作方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-29 发明人: 刘胜北; 何志; 刘斌; 杨香; 刘兴昉; 张峰; 王雷; 田丽欣; 刘敏; 申占伟; 赵万顺; 樊中朝; 王晓峰; 王晓东; 赵永梅; 杨富华; 孙国胜; 曾一平 Adobe PDF(1167Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:840/0  |  提交时间:2016/09/29 |
| 一种去除碳化硅等离子体刻蚀形成的刻蚀损伤层的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28 发明人: 刘胜北; 何志; 刘斌; 刘兴昉; 杨香; 樊中朝; 王晓峰; 王晓东; 赵永梅; 杨富华; 孙国胜; 曾一平 Adobe PDF(568Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:633/3  |  提交时间:2016/09/28 |