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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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专题:中国科学院半导体研究所(2009年前)
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在本征砷化镓表面77K以下实现欧姆接触的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-03-17, 2010-08-12
发明人:
谈笑天
;
郑厚植
;
刘 剑
;
杨富华
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浏览/下载:1795/274
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提交时间:2010/08/12
生长氧化锌纳米棒阵列的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-05-13, 公开日期: 3994
发明人:
范海波
;
杨少延
;
张攀峰
;
魏鸿源
;
刘祥林
;
朱勤生
;
陈涌海
;
王占国
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浏览/下载:1543/249
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提交时间:2010/03/19
一种恒温装置及其控制方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-03-11, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
张日清
;
刘祥林
;
杨少延
;
张晓沛
;
董向芸
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浏览/下载:1405/181
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提交时间:2009/06/11
倒装双结铟镓氮太阳能电池结构
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-02-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
王晓亮
;
杨翠柏
;
肖红领
;
胡国新
;
冉学军
;
王翠梅
;
张小宾
;
李晋闽
Adobe PDF(676Kb)
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浏览/下载:1583/220
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提交时间:2009/06/11
用于氮化物外延生长的纳米级图形衬底的制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-02-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
闫发旺
;
高海永
;
樊中朝
;
李晋闽
;
曾一平
;
王国宏
;
张会肖
;
王军喜
;
张扬
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浏览/下载:1780/269
  |  
提交时间:2009/06/11
光学复合膜作电极的GaN功率型LED的制备方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-01-28, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
李晋闽
;
王晓东
;
王国宏
;
王良臣
;
杨富华
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浏览/下载:1335/201
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提交时间:2009/06/11
一种利用图形化衬底提高GaN基LED发光效率的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-01-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
闫发旺
;
高永海
;
张扬
;
李晋闽
;
曾一平
;
王国宏
;
张会肖
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浏览/下载:1692/272
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提交时间:2009/06/11
Large-Signal Performance of 1.3 mu m InAs/GaAs quantum-dot lasers
会议论文
, Shanghai, PEOPLES R CHINA, AUG 30-SEP 03, 2009
作者:
Ji
;
HM
;
Cao
;
YL
;
Xu PF
;
Gu YX
;
Ma WQ
;
Liu Y
;
Wang X
;
Xie L
;
Yang T
;
Ji, HM, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China
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浏览/下载:1864/471
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提交时间:2010/06/04
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhang B
;
Chen J
;
Wang X
;
Wu AM
;
Luo JX
;
Zhang MA
;
Wu YX
;
Zhu JJ
;
Yang H
;
Zhang B Chinese Acad Sci Shanghai Inst Microsyst & Informat Technol State Key Lab Funct Mat Informat Shanghai 200050 Peoples R China. E-mail Address: bozhang@mail.sim.ac.cn
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浏览/下载:1307/325
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提交时间:2010/03/08
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhu, JH (Zhu, J. H.)
;
Wang, LJ (Wang, L. J.)
;
Zhang, SM (Zhang, S. M.)
;
Wang, H (Wang, H.)
;
Zhao, DG (Zhao, D. G.)
;
Zhu, JJ (Zhu, J. J.)
;
Liu, ZS (Liu, Z. S.)
;
Jiang, DS (Jiang, D. S.)
;
Qiu, YX (Qiu, Y. X.)
;
Yang, H (Yang, H.)
;
Zhu, JH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: smzhang@red.semi.ac.cn
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浏览/下载:1227/312
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提交时间:2010/03/08