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中国科学院半导体研究所机构知识库
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中国科学院半导体研究... [8]
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一种在砷化镓衬底上外延生长锑化镓的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
郝瑞亭
;
周志强
;
任正伟
;
徐应强
;
牛智川
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提交时间:2009/06/11
一种在砷化镓衬底上外延生长锑化镓的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
郝瑞亭
;
周志强
;
任正伟
;
徐应强
;
牛智川
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提交时间:2009/06/11
一种在砷化镓衬底上外延生长锑化镓的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
郝瑞亭
;
周志强
;
任正伟
;
徐应强
;
牛智川
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期刊论文
作者:
Zhou ZW
;
Li C
;
Lai HK
;
Chen SY
;
Yu JZ
;
Li, C, Xiamen Univ, Dept Phys, Semicond Photon Res Ctr, Xiamen 361005, Peoples R China. 电子邮箱地址: lich@xmu.edu.cn
;
jzyu@red.semi.ac.cn
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期刊论文
作者:
Zhou ZW
;
Li C
;
Chen SY
;
Lai HK
;
Yu JZ
;
Zhou, ZW, Xiamen Univ, Dept Phys, Semicond Photon Res Ctr, Xiamen 361005, Peoples R China. 电子邮箱地址: xmuzhouzw@yahoo.com.cn
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期刊论文
作者:
Zhou ZW
;
Cai ZM
;
Li C
;
Lai HK
;
Chen SY
;
Yu JZ
;
Li, C, Xiamen Univ, Dept Phys, Semicond Photon Res Ctr, 422 S Siming Rd, Xiamen 361005, Fujian, Peoples R China. 电子邮箱地址: lich@xmu.edu.cn
;
jzyu@red.semi.ac.cn
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期刊论文
作者:
Zhou, ZQ
;
Xu, YQ
;
Hao, RT
;
Tang, B
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Ren, ZW
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Niu, ZC
;
Xu, YQ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: yingqxu@semi.ac.cn
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汪建元
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李成
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陈松岩
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余金中
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王启明
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