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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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以二氧化硅为掩模定位生长量子点的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-12-03, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
任芸芸
;
徐波
;
周惠英
;
刘明
;
李志刚
;
王占国
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提交时间:2009/06/11
一种在砷化镓衬底上外延生长锑化镓的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
郝瑞亭
;
周志强
;
任正伟
;
徐应强
;
牛智川
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浏览/下载:1401/190
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提交时间:2009/06/11
一种在砷化镓衬底上外延生长锑化镓的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
郝瑞亭
;
周志强
;
任正伟
;
徐应强
;
牛智川
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提交时间:2009/06/11
一种在砷化镓衬底上外延生长锑化镓的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
郝瑞亭
;
周志强
;
任正伟
;
徐应强
;
牛智川
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提交时间:2009/06/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhou WJ
;
Chen W
;
Liu AJ
;
Xing MX
;
Ren G
;
Zhang YJ
;
Chen LH
;
Zheng WH
;
Zheng, WH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Nanooptoelect Lab, Qinghua E Rd 35A, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: whzheng@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/08
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zheng WH
;
Ren G
;
Xing MX
;
Chen W
;
Liu AJ
;
Zhou WJ
;
Baba T
;
Nozaki K
;
Chen LH
;
Zheng, WH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Nanooptoelect Lab, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: whzheng@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/08
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期刊论文
作者:
Sun CH
;
Wang NX
;
Zhou SY
;
Hu XJ
;
Chen P
;
Zhou, SY, Chinese Acad Sci, Tech Inst Phys & Chem, Beijing 100190, Peoples R China. 电子邮箱地址: chenlab@mail.ipc.ac.cn
;
zhou_shuyun@mail.ipc.ac.cn
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提交时间:2010/03/08
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhou ZW
;
Li C
;
Lai HK
;
Chen SY
;
Yu JZ
;
Li, C, Xiamen Univ, Dept Phys, Semicond Photon Res Ctr, Xiamen 361005, Peoples R China. 电子邮箱地址: lich@xmu.edu.cn
;
jzyu@red.semi.ac.cn
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浏览/下载:1276/343
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提交时间:2010/03/08
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhou M
;
Chang QY
;
Zhao DG
;
Zhao, DG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: dgzhao@red.semi.ac.en
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浏览/下载:692/194
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提交时间:2010/03/08
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期刊论文
作者:
Liang S
;
Zhu HL
;
Pan JQ
;
Zhao LJ
;
Wang LF
;
Zhou F
;
Shu HY
;
Bian J
;
An X
;
Wang W
;
Liang, S, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: liangsong@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/08