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| 制备网状纳米阵列铁磁性薄膜的物理气相沉积方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-12-19, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 戴瑞烜; 陈诺夫; 彭长涛; 王鹏 Adobe PDF(499Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1546/192  |  提交时间:2009/06/11 |
| 采用干法刻蚀技术实现RTD与HEMT单片集成的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-10-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 马龙; 杨富华; 王良臣; 黄应龙 Adobe PDF(867Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1261/161  |  提交时间:2009/06/11 |
| 采用衬底表面粗化技术的倒装结构发光二极管制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-09-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王良臣; 伊晓燕; 刘志强 Adobe PDF(698Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1324/171  |  提交时间:2009/06/11 |
| 利用倒装技术制作功率型微结构发光二极管管芯的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-29, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 郭金霞; 王良臣 Adobe PDF(722Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1101/147  |  提交时间:2009/06/11 |
| Mg-Sb共掺杂p型ZnO薄膜的制备方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王鹏; 陈诺夫; 尹志岗 Adobe PDF(349Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1104/155  |  提交时间:2009/06/11 |
| 具有氮化铪薄中间层的SOI型复合可协变层衬底 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 杨少延; 陈涌海; 李成明; 范海波; 王占国 Adobe PDF(924Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1325/171  |  提交时间:2009/06/11 |
| 具有金属铪薄中间层的SOI型复合可协变层衬底 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 杨少延; 陈涌海; 李成明; 范海波; 王占国 Adobe PDF(931Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1382/176  |  提交时间:2009/06/11 |
| 具有超薄碳化硅中间层的硅基可协变衬底及制备方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 杨少延; 杨霏; 李成明; 范海波; 陈涌海; 刘志凯; 王占国 Adobe PDF(1107Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1411/193  |  提交时间:2009/06/11 |
| 利用可协变衬底制备生长氧化锌薄膜材料的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 杨少延; 陈涌海; 李成明; 范海波; 王占国 Adobe PDF(1043Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1185/158  |  提交时间:2009/06/11 |
| 基于微分负阻器件与CMOS电路的纳米流水线乘法器 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-06-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 马龙; 王良臣; 杨富华 Adobe PDF(762Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1034/129  |  提交时间:2009/06/11 |