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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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研究单元&专题
中国科学院半导体研... [10]
作者
李成明 [4]
陈良惠 [1]
曹玉莲 [1]
渠红伟 [1]
文献类型
专利 [5]
期刊论文 [5]
发表日期
2007 [10]
语种
中文 [9]
英语 [1]
出处
物理学报 [3]
JOURNAL OF... [1]
半导体学报 [1]
资助项目
收录类别
CSCD [4]
SCI [1]
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发表日期:2007
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30
35
40
45
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55
60
65
70
75
80
85
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95
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WOS被引频次升序
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一种集成有光场模斑变换器的波导光开关阵列及其方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-10-17, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
陈少武
;
李艳萍
;
余金中
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浏览/下载:1104/151
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提交时间:2009/06/11
具有氮化铪薄中间层的SOI型复合可协变层衬底
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
杨少延
;
陈涌海
;
李成明
;
范海波
;
王占国
Adobe PDF(924Kb)
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浏览/下载:1325/171
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提交时间:2009/06/11
具有金属铪薄中间层的SOI型复合可协变层衬底
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
杨少延
;
陈涌海
;
李成明
;
范海波
;
王占国
Adobe PDF(931Kb)
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浏览/下载:1382/176
  |  
提交时间:2009/06/11
具有超薄碳化硅中间层的硅基可协变衬底及制备方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
杨少延
;
杨霏
;
李成明
;
范海波
;
陈涌海
;
刘志凯
;
王占国
Adobe PDF(1107Kb)
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浏览/下载:1411/193
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提交时间:2009/06/11
利用可协变衬底制备生长氧化锌薄膜材料的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
杨少延
;
陈涌海
;
李成明
;
范海波
;
王占国
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浏览/下载:1185/158
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提交时间:2009/06/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Jin, JS (Jin, Jinshuang)
;
Welack, S (Welack, Sven)
;
Luo, JY (Luo, JunYan)
;
Li, XQ (Li, Xin-Qi)
;
Cui, P (Cui, Ping)
;
Xu, RX (Xu, Rui-Xue)
;
Yan, YJ (Yan, YiJing)
;
Jin, JS, Hong Kong Univ Sci & Technol, Dept Chem, Kowloon, Hong Kong, Peoples R China. 电子邮箱地址: jinjs@ust.hk
;
yyan@ust.hk
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浏览/下载:1152/356
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提交时间:2010/03/29
无权访问的条目
期刊论文
作者:
高宏玲
;
李东临
;
周文政
;
商丽燕
;
王宝强
;
朱战平
;
曾一平
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浏览/下载:1079/281
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提交时间:2010/11/23
无权访问的条目
期刊论文
作者:
周文政
;
林铁
;
商丽燕
;
黄志明
;
朱博
;
崔利杰
;
高宏玲
;
李东临
;
郭少令
;
桂永胜
;
褚君浩
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提交时间:2010/11/23
无权访问的条目
期刊论文
作者:
周文政
;
林铁
;
商丽燕
;
黄志明
;
崔利杰
;
李东临
;
高宏玲
;
曾一平
;
郭少令
;
桂永胜
;
褚君浩
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浏览/下载:1144/355
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提交时间:2010/11/23
无权访问的条目
期刊论文
作者:
李慧
;
何国荣
;
渠红伟
;
石岩
;
种明
;
曹玉莲
;
陈良惠
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浏览/下载:1111/344
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提交时间:2010/11/23