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采用干法刻蚀技术实现RTD与HEMT单片集成的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-10-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  马龙;  杨富华;  王良臣;  黄应龙
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光子晶体的自准直光束的分束器与分束方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-10-17, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陈海波;  李兆峰;  陈建军;  杨富华;  封松林;  郑厚植
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基于微分负阻器件与CMOS电路的纳米流水线乘法器 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-06-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  马龙;  王良臣;  杨富华
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通过注氧进行量子限制的硅基单电子晶体管及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-04-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  韩伟华;  张扬;  刘剑;  杨富华
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光电容法确定半导体量子点电荷密度的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-02-21, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  李桂荣;  郑厚植;  杨富华
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yan FW (Yan Fawang);  Gao HY (Gao Haiyong);  Zhang HX (Zhang Huixiao);  Wang GH (Wang Guohong);  Yang FH (Yang Fuhua);  Yan JC (Yan Jianchang);  Wang JX (Wang Junxi);  Zeng YP (Zeng Yiping);  Li JM (Li, Jinmin);  Yan, FW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Res & Dev Ctr Semicond Lighting Technol, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: fwyan@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li ZF (Li Zhaofeng);  Ozbay E (Ozbay Ekmel);  Chen HB (Chen Haibo);  Chen JJ (Chen Jianjun);  Yang FH (Yang Fuhua);  Zheng HZ (Zheng Houzhi);  Li, ZF, Bilkent Univ, Dept Phys, Nanotechnol Res Ctr, TR-06800 Ankara, Turkey. 电子邮箱地址: zhaofengli@bilkent.edu.tr
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang, WC;  Wu, NJ;  Yang, FH;  Zhang, WC, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: nanjian@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhou Y (Zhou Yue);  Zhang GF (Zhang Guo-Feng);  Yang FH (Yang Fu-Hua);  Feng SL (Feng Song-Lin);  Zhang, GF, Beijing Univ Aeronaut & Astronaut, Sch Sci, Dept Phys, Xueyuan Rd 37, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: gf1978zhang@buaa.edu.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Gan HD;  Zheng HZ;  Deng JJ;  Bi JF;  Zhu H;  Ji Y;  Tan PH;  Yang FH;  Zhao JH;  Gan, HD, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: hdgan@red.semi.ac.cn;  hzzheng@red.semi.ac.cn
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