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半导体芯片结深的电解水阳极氧化显结方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-08-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  曾宇昕;  王水凤;  杨富华;  曾庆城
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Peng CX;  Weng HM;  Yang XJ;  Ye BJ;  Cheng B;  Zhou XY;  Han RD;  Peng, CX, Univ Sci & Technol China, Dept Modern Phys, Hefei 230026, Peoples R China. E-mail: pengcx@mail.ustc.edu.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  徐渊;  杨波;  朱明程
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