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宽光谱、大功率的半导体超辐射发光二极管及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-10-18, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  李宝霞;  张靖;  赵玲娟;  王圩
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对砷化铝/砷化镓的砷化镓高选择比化学腐蚀液 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  黄应龙;  杨富华;  王良臣;  姜磊;  白云霞;  王莉
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一种光瞬态自动测试系统 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-06-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  蒋波;  卢励吾;  张砚华
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使多个V形光伏器件组件连接的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-06-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  李建明;  种明;  徐嘉东;  刘海涛;  边莉;  迟迅;  翟永辉
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倒装氮化镓基发光二极管芯片的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  李丙乾;  张书明;  杨辉
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背孔结构氮化镓基发光二极管的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-04-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  马龙;  王良臣;  王立彬;  郭金霞;  伊晓燕
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选择区域外延生长叠层电吸收调制激光器结构的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-03-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  朱洪亮;  李宝霞;  张靖;  王圩
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在Si基片上生长高密度超小型Ge量子点的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-03-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  时文华;  李传波;  王容伟;  罗丽萍;  王启明
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  An JM (An Junming);  Wu YD (Wu Yuanda);  Wang HJ (Wang Hongjie);  Li JG (Li Jianguang);  Xing B (Xing Bo);  Hu XW (Hu Xiongwei);  An, JM, Inner Mongolian Univ, Dept Phys, Hohhot 010021, Peoples R China. E-mail: junming@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang XW (Zhang X. W.);  Li SS (Li S. S.);  Xia JB (Xia J. B.);  Zhang, XW, China Ctr Adv Sci & Technol, World Lab, POB 8730, Beijing 100080, Peoples R China. E-mail: zhxw99@semi.ac.cn
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