中文版 | English

在结果中检索

SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共56条，第1-10条 帮助

限定条件    
已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
制造厚膜氮化物材料的氢化物气相外延装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-12-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  刘喆;  王军喜;  钟兴儒;  李晋闽;  曾一平;  段瑞飞;  马平;  魏同波;  林郭强
Adobe PDF(457Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1673/189  |  提交时间：2009/06/11
具有波长蓝移效应的掩埋异质结构半导体光器件及方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-12-06, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  丁颖;  王圩;  潘教青;  王宝军;  陈娓兮
Adobe PDF(978Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1511/181  |  提交时间：2009/06/11
一种高可靠性980nm大功率量子阱半导体激光器 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-11-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王俊;  马骁宇
Adobe PDF(279Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1013/186  |  提交时间：2009/06/11
适用于疏波分复用的双波长串联分布反馈激光器 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-11-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  谢红云;  王圩;  王鲁峰;  边静
Adobe PDF(322Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1521/193  |  提交时间：2009/06/11
一种高光功率密度808nm大功率量子阱半导体激光器 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-11-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王俊;  马骁宇
Adobe PDF(280Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：984/131  |  提交时间：2009/06/11
半导体可饱和吸收镜及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-10-18, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王翠鸾;  王勇刚;  林涛;  王俊;  郑凯;  冯小明;  仲莉;  马杰慧;  马骁宇
Adobe PDF(548Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1224/178  |  提交时间：2009/06/11
宽光谱、大功率的半导体超辐射发光二极管及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-10-18, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  李宝霞;  张靖;  赵玲娟;  王圩
Adobe PDF(544Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1207/185  |  提交时间：2009/06/11
一种用于氮化物半导体材料退火的新型加热衬托 专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2006-09-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王晓亮;  冉军学;  李建平;  胡国新;  王军喜;  曾一平;  李晋闽
Adobe PDF(335Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1350/193  |  提交时间：2009/06/11
一种在硅衬底上生长无裂纹Ⅲ族氮化物的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-08-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  吴洁君;  韩修训;  李杰民;  黎大兵;  陆沅;  王晓晖
Adobe PDF(620Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1255/152  |  提交时间：2009/06/11
共振遂穿二极管与高电子迁移率晶体管器件制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  黄应龙;  杨富华;  王良臣;  王建林;  伊小燕;  马龙
Adobe PDF(385Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1161/166  |  提交时间：2009/06/11