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一种在硅衬底上生长高质量氮化铝的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  张南红;  王晓亮;  曾一平;  肖红领;  王军喜;  刘宏新;  李晋闽
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生长高结晶质量氮化铟单晶外延膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  肖红领;  王晓亮;  王军喜;  张南红;  刘宏新;  曾一平
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测量激光器芯片用的夹具及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-10-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  张胜利;  孙建华;  祝宁华
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便携式低功耗微照明用光纤冷光源 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-09-28, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  祝宁华;  张尚剑;  刘宇;  袁海庆;  曾雄文
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面发射激光器同轴封装用的热沉 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-06-01, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  张胜利;  孙建伟;  祝宁华
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多能态离子注入法制备磁性半导体的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-02-23, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  张富强;  陈诺夫
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zheng ZS;  Liu ZL;  Zhang GQ;  Li N;  Fan K;  Zhang EX;  Yi WB;  Chen M;  Wang X;  Zheng, ZS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Microelect R&D Ctr, Beijing 100083, Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zheng ZS;  Liu ZL;  Zhang GQ;  Li N;  Li GH;  Ma HZ;  Zhang EX;  Zhang ZX;  Wang X;  Zheng, ZS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Microelect R&D Ctr, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zszheng@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zheng ZS;  Liu ZL;  Zhang GQ;  Li N;  Fan K;  Zhang EX;  Yi WB;  Chen M;  Wang X;  Zheng, ZS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Microelect R&D Ctr, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zszheng@red.semi.ac.cn
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Si(111)上GaN的NH3-MBE生长及MSM 紫外探测器研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2005
作者:  张南红
Adobe PDF(3993Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1040/32  |  提交时间:2009/04/13