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单光子探测装置的结构 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-06-01, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  刘伟;  杨富华;  曾宇昕;  郑厚植
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang H;  Zheng HZ;  Xu P;  Peng HL;  Tan PH;  Yang FH;  Ni HQ;  Zeng YX;  Gan HD;  Zhu H;  Zhang, H, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhanghao@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Chang YQ;  Chen Y;  Yu DP;  Fang ZL;  Li GH;  Yang FH;  Chang, YQ, Peking Univ, Dept Phys, Natl Key Lab Mesoscop Phys, Beijing 100871, Peoples R China. 电子邮箱地址: cyq@pku.edu.cn;  chenyizhi@163.com;  yudp@pku.edu.cn;  fung@red.semi.sc.cn;  ghli@red.semi.ac.cn;  fhyang@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Jiang CP;  Zhao JH;  Deng JJ;  Yang FH;  Niu ZC;  Wu XG;  Zheng HZ;  Zhao, JH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: jhzhao@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  马龙;  王良臣;  杨富华
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  王建林;  刘忠立;  王良臣;  曾一平;  杨富华;  白云霞
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