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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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发表日期:2003
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10
15
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25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
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80
85
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95
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WOS被引频次升序
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发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
题名升序
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多量子阱波导对接耦合方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2003-12-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
胡小华
;
王圩
;
朱洪亮
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浏览/下载:1273/220
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提交时间:2009/06/11
混合有机镓源选择区域生长铟镓砷磷多量子阱的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2003-06-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
刘国利
;
王圩
;
朱洪亮
Adobe PDF(400Kb)
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收藏
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浏览/下载:1113/150
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提交时间:2009/06/11
混合波导结构电吸收调制分布反馈激光器和制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2003-06-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
刘国利
;
王圩
;
朱洪亮
Adobe PDF(428Kb)
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浏览/下载:1190/134
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提交时间:2009/06/11
高速A/D转换器中无冗余位的数字校正方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2003-03-12, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
石寅
;
李志刚
;
李拥平
;
朱荣华
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浏览/下载:1166/132
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提交时间:2009/06/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Chen J
;
Zhang SM
;
Zhang BS
;
Zhu JJ
;
Feng G
;
Duan LH
;
Wang YT
;
Yang H
;
Zheng WC
;
Chen J,Sichuan Univ,Dept Mat Sci,Chengdu 610064,Peoples R China.
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浏览/下载:1574/630
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提交时间:2010/08/12
Reduction in crystallographic tilt of lateral epitaxial overgrown GaN by using new patterned shape mask
会议论文
5TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON NITRIDE SEMICONDUCTORS (ICNS-5), PROCEEDINGS, NARA, JAPAN, MAY 25-30, 2003
作者:
Feng G
;
Shen XM
;
Zhu JJ
;
Zhang BS
;
Yang H
;
Liang JW
;
Feng G Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:1416/308
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提交时间:2010/10/29
Buffer Layer
Substrate
Diodes
Growth
MOCVD growth of high quality crack-free GaN on Si(III) substrates
会议论文
PROCEEDINGS OF THE SIXTH CHINESE OPTOELECTRONICS SYMPOSIUM, KOWLOON, PEOPLES R CHINA, SEP 12-14, 2003
作者:
Zhang BS
;
Zhu JJ
;
Wang YT
;
Yang H
;
Zhang BS Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:1492/302
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提交时间:2010/10/29
Vapor-phase Epitaxy
Layers
Aln
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhang BS
;
Wu M
;
Shen XM
;
Chen J
;
Zhu JJ
;
Liu JP
;
Feng G
;
Zhao DG
;
Wang YT
;
Yang H
;
Zhang BS,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,State Key Lab Integrated Optoelect,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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浏览/下载:2048/868
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Qu BZ
;
Zhu QS
;
Sun XH
;
Wan SK
;
Wang ZG
;
Nagai H
;
Kawaguchi Y
;
Hiramatsu K
;
Sawaki N
;
Qu BZ,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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浏览/下载:1983/930
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Chen J
;
Zhang SM
;
Zhang BS
;
Zhu JJ
;
Shen XM
;
Feng G
;
Liu JP
;
Wang YT
;
Yang H
;
Zheng WC
;
Chen J,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,State Key Lab Integrated Optoelect,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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浏览/下载:1075/349
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提交时间:2010/08/12