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| Reduction in crystallographic tilt of lateral epitaxial overgrown GaN by using new patterned shape mask 会议论文
5TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON NITRIDE SEMICONDUCTORS (ICNS-5), PROCEEDINGS, NARA, JAPAN, MAY 25-30, 2003
作者: Feng G; Shen XM; Zhu JJ; Zhang BS; Yang H; Liang JW; Feng G Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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Buffer Layer Substrate Diodes Growth |
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作者: Feng G; Zhu JJ; Shen XM; Zhang BS; Zhao DG ; Wang YT; Yang H; Liang JW; Feng G,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,State Key Lab Integrated Optoelect,Beijing 100083,Peoples R China.
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Feng G; Shen XM; Zhu JJ; Zhang BS; Zhao DG; Wang YT; Yang H; Liang JW; Feng G,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,State Key Lab Integrated Optoelect,Beijing 100083,Peoples R China.
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作者: 孙建伟; 张胜利; 王绍伟; 谢亮; 祝宁华
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作者: 武莉莉; 冯良桓; 蔡伟; 张静全; 蔡亚平; 郑家贵; 朱居木; 陈诺夫
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作者: 张弘达; 申荣铉; 毛陆虹; 唐君; 梁琨; 杜云; 黄永箴; 吴荣汉; 冯军; 柯锡明; 刘欢艳; 王志功
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作者: 冯淦; 朱建军; 沈晓明; 张宝顺; 赵德刚; 王玉田; 杨辉; 梁骏吾
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