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Growth and structural properties of GaN films on flat and vicinal SiC(0001) substrates 会议论文
INTERNATIONAL JOURNAL OF MODERN PHYSICS B, 16 (1-2), SINGAPORE, SINGAPORE, JUL 01-06, 2001
作者:  Xie MH;  Cheung SH;  Zheng LX;  Tong SY;  Zhang BS;  Yang H;  Xie MH Univ Hong Kong Dept Phys Pokfulam Rd Hong Kong Hong Kong Peoples R China.
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Molecular-beam Epitaxy  
氮化镓的光电性质及器件工艺研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2002
作者:  张泽洪
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Feng G;  Fu Y;  Xia JS;  Zhu JJ;  Zhang BS;  Shen XM;  Zhao DG;  Yang H;  Liang JW;  Feng G,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,State Key Lab Integrated Optoelect,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Feng G;  Zheng XH;  Zhu JJ;  Shen XM;  Zhang BS;  Zhao DG;  Sun YP;  Zhang ZH;  Wang YT;  Yang H;  Liang JW;  Feng G,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,State Key Lab Integrated Optoelect,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Sun YP;  Shen XM;  Wang J;  Zhao DG;  Feng G;  Fu Y;  Zhang SM;  Zhang ZH;  Feng ZH;  Bai YX;  Yang H;  Sun YP,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,State Key Lab Integrated Optoelect,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Cao WM;  Feng H;  Zhang DM;  Wang SJ;  Cao WM,Zhejiang Univ Technol,Inst Intelligent Informat Syst,Hangzhou 310032,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Shen XM;  Fu Y;  Feng G;  Zhang BS;  Feng ZH;  Wang YT;  Yang H;  Shen XM,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,State Key Lab Integrated Optoelect,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wu MF;  Chen CC;  Zhu DZ;  Zhou SQ;  Vantomme A;  Langouche G;  Zhang BS;  Yang H;  Wu MF,Peking Univ,Dept Tech Phys,Beijing 100871,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xie MH;  Cheung SH;  Zheng LX;  Tong SY;  Zhang BS;  Yang H;  Xie MH,Univ Hong Kong,Dept Phys,Pokfulam Rd,Hong Kong,Hong Kong,Peoples R China.
Adobe PDF(1325Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：857/211  |  提交时间：2010/08/12
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang JD;  Zhang H;  Chen JH;  Deng YM;  Hu CY;  An L;  Yang FH;  Li GH;  Zheng HZ;  Zhang JD,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Natl Lab Superlattices & Microstruct,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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