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| Ⅲ族氮化物单/多层异质应变薄膜的制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2002-08-21, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 陈振; 陆大成; 刘祥林; 王晓晖; 袁海荣; 王占国 Adobe PDF(593Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1318/174  |  提交时间:2009/06/11 |
| 铟镓氮薄膜的快速填埋生长方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2002-07-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 韩培德; 刘祥林; 王晓晖; 陆大成 Adobe PDF(434Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1293/164  |  提交时间:2009/06/11 |
| 自钝化非平面结三族氮化物半导体器件及其制造方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2002-06-19, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 陆大成; 王晓晖; 姚文卿; 刘祥林 Adobe PDF(1377Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1115/119  |  提交时间:2009/06/11 |
| 半导体面发光器件及增强横向电流扩展的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2002-03-06, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 刘祥林; 陆大成; 王晓晖; 袁海荣 Adobe PDF(842Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1066/117  |  提交时间:2009/06/11 |
| Impact of wide bandgap p-type nc-Si on the performance of a-Si solar cells 会议论文 INTERNATIONAL JOURNAL OF MODERN PHYSICS B, 16 (1-2), SINGAPORE, SINGAPORE, JUL 01-06, 2001 作者: Deng X; Wang W; Han S; Povolny H; Du W; Liao X; Xiang X; Liao X Chinese Acad Sci Inst Semicond State Lab Surface Phys Beijing 100083 Peoples R China. Adobe PDF(635Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1572/437  |  提交时间:2010/11/15 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Deng X; Wang W; Han S; Povolny H; Du W; Liao X; Xiang X; Liao X,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,State Lab Surface Phys,Beijing 100083,Peoples R China. Adobe PDF(635Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:994/302  |  提交时间:2010/08/12 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 韩培德; 刘祥林; 袁海荣; 陈振; 李昱峰; 陆沅; 汪度; 陆大成; 王占国 Adobe PDF(309Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:895/305  |  提交时间:2010/11/23 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 胡桂青; 孔翔; 王乙潜; 万里; 段晓峰; 陆沅; 刘祥林 Adobe PDF(175Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1287/437  |  提交时间:2010/11/23 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 刘相华; 陈猛; 刘忠立; 王曦 Adobe PDF(282Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:874/250  |  提交时间:2010/11/23 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 李国华; 方再利; 丁琨; 韩和相; 曾美思; 王建农; 葛惟锟; 潘钟; 李联合; 吴荣汉 Adobe PDF(266Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:861/236  |  提交时间:2010/11/23 |