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Ⅲ族氮化物单/多层异质应变薄膜的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2002-08-21, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陈振;  陆大成;  刘祥林;  王晓晖;  袁海荣;  王占国
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半导体面发光器件及增强横向电流扩展的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2002-03-06, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  刘祥林;  陆大成;  王晓晖;  袁海荣
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  韩培德;  刘祥林;  袁海荣;  陈振;  李昱峰;  陆沅;  汪度;  陆大成;  王占国
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  王荣;  周宏余;  司戈丽;  姚淑德;  张新辉;  郭增良;  翟佐绪;  王勇刚;  朱升云
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  陈敦军;  毕朝霞;  沈波;  张开骁;  顾书林;  张荣;  施毅;  胡立群;  郑有（火+斗）;  孙学浩;  万寿科;  王占国
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  李国华;  方再利;  丁琨;  韩和相;  曾美思;  王建农;  葛惟锟;  潘钟;  李联合;  吴荣汉
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