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| Ⅲ族氮化物单/多层异质应变薄膜的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2002-08-21, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 陈振; 陆大成; 刘祥林; 王晓晖; 袁海荣; 王占国
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| 铟镓氮薄膜的快速填埋生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2002-07-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 韩培德 ; 刘祥林; 王晓晖; 陆大成
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| 自钝化非平面结三族氮化物半导体器件及其制造方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2002-06-19, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 陆大成; 王晓晖; 姚文卿; 刘祥林
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| 半导体面发光器件及增强横向电流扩展的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2002-03-06, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 刘祥林; 陆大成; 王晓晖; 袁海荣
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 谭利文; 王俊; 王启元; 郁元桓; 刘忠立; 邓惠芳; 王建华; 林兰英
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 宁瑾; 刘忠立; 赵慧
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 章蓓; 栾峰; 徐军; 金艳波; 徐万劲; 张会珍; 钱怡; 马骁宇; 朱恪; 刘玉龙
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 徐波; 刘会贇; 王占国; 韩勤; 钱家骏; 梁基本; 丁鼎; 刘峰奇; 张金福; 张秀兰
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