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一种氮化物半导体器件 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2001-10-10, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陆大成;  刘祥林;  袁海荣;  王晓晖
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GaAs基应变自组织In(Al)As量子点材料生长、性质及器件应用 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2001
作者:  刘会云
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  刘文楷;  林世鸣;  武术;  朱家廉;  高俊华;  渠波;  陆建祖;  廖奇为;  邓晖;  陈弘达
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  王晓晖;  刘祥林;  陆大成;  袁海荣;  韩培德;  汪度
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  梁万国;  郑婉华;  谢敬辉;  梁恩主;  陈良惠;  李卉;  刘浩
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  魏永强;  刘会云;  徐波;  丁鼎;  梁基本;  王占国
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  刘守渔;  梁万国;  谢敬辉;  赵达尊
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  刘守渔;  梁万国;  郑婉华;  梁恩主;  陈良惠;  谢敬辉;  赵达尊
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  渠波;  郑新和;  王玉田;  冯志宏;  韩景仪;  刘世安;  林世鸣;  杨辉;  梁骏吾
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu Liyi;  Liu Kai;  Huang Hui;  Huang Yongqing;  Ren Xiaomin;  Ma Xiaoyu;  Kang Xuejun
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