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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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1998 [60]
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发表日期:1998
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WOS被引频次升序
WOS被引频次降序
High performance 1.55 mu m InGaAsP/InP strained layer quantum well laser diodes fabricated by MOCVD overgrowth method
会议论文
SEMICONDUCTOR LASERS III, 3547, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 16-18, 1998
作者:
Ma XY
;
Cao Q
;
Wang ST
;
Guo L
;
Wang ZM
;
Wang LM
;
He GP
;
Yang YL
;
Zhang HQ
;
Zhou XN
;
Chen LH
;
Ma XY Chinese Acad Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
Adobe PDF(189Kb)
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浏览/下载:1272/273
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提交时间:2010/10/29
Ingaasp
Strained Layer Quantum Well
Laser Diode
Mocvd
Growth and fabrication of high performance 980nm strained InGaAs quantum well lasers using novel hybrid material system of InGaAsP and AlGaAs
会议论文
SEMICONDUCTOR LASERS III, 3547, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 16-18, 1998
作者:
Yang GW
;
Xu ZT
;
Xu JY
;
Ma XY
;
Zhang JM
;
Chen LH
;
Yang GW Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
Adobe PDF(356Kb)
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浏览/下载:1473/382
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提交时间:2010/10/29
Strained Quantum Well
Semiconductor Lasers
High temperature operation of 650nm AlGaInP quantum well laser diodes grown by LP-MOCVD
会议论文
OPTOELECTRONIC MATERIALS AND DEVICES, 3419, TAIPEI, TAIWAN, JUL 09-11, 1998
作者:
Ma XY
;
Cao Q
;
Wang ST
;
Guo L
;
Lian P
;
Wang LM
;
Zhang XY
;
Yang YL
;
Zhang HQ
;
Wang GH
;
Chen LH
;
Ma XY Chinese Acad Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:1338/275
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提交时间:2010/10/29
Algainp
Quantum Well
Laser Diode
Mocvd
The effect of low temperature GaAs nucleation on the growth of GaN on Silicon (001) during MOVPE process
会议论文
NITRIDE SEMICONDUCTORS, 482, BOSTON, MA, DEC 01-05, 1997
作者:
Zheng LX
;
Liang JW
;
Yang H
;
Li JB
;
Wang YT
;
Xu DP
;
Li XF
;
Duan LH
;
Hu XW
;
Zheng LX Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Electroluminescence and photoluminescence of Si/SiGe self-assembly quantum dot structures
会议论文
INTEGRATED OPTOELECTRONICS II, 3551, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 18-19, 1998
作者:
Si JJ
;
Yang QQ
;
Wang HJ
;
Wang QM
;
Si JJ Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:1222/189
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提交时间:2010/10/29
Si/sige
Quantum Dot
Electroluminescence
Photoluminescence
Photoluminescence measurements on erbium-doped silicon
会议论文
INTEGRATED OPTOELECTRONICS II, 3551, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 18-19, 1998
作者:
Lei HB
;
Yang QQ
;
Ou HY
;
Wang QM
;
Lei HB Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:1306/233
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提交时间:2010/10/29
Erbium-doped Silicon
Photoluminescence
Energy Transfer
The study of single mode 650nm AlGaInP quantum well laser diodes for DVD
会议论文
SEMICONDUCTOR LASERS III, 3547, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 16-18, 1998
作者:
Ma XY
;
Cao Q
;
Wang ST
;
Guo L
;
Wang LM
;
Yang YL
;
Zhang HQ
;
Zhang XY
;
Chen LH
;
Ma XY Chinese Acad Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:1278/250
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提交时间:2010/10/29
Algainp
Quantum Well
Laser Diode
Mocvd
Dvd
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Han XF
;
Xu RG
;
Wang XH
;
Pan HG
;
Baggio-Saitovitch E
;
Miyazaki T
;
Yang FM
;
Chen CP
;
Han XF,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Ctr Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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浏览/下载:848/214
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提交时间:2010/08/12
Electro-mass multi odor sensor
会议论文
TECHNICAL DIGEST OF THE SEVENTH INTERNATIONAL MEETING ON CHEMICAL SENSORS, BEIJING, PEOPLES R CHINA, JUL 27-30, 1998
作者:
Sun A
;
Yang YA
;
Jiang YL
;
Fan ZJ
;
Liu QD
;
Li XQ
;
Zhou QZ
;
Sun A Acad Sinica Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:1001/0
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提交时间:2010/10/29
Optical anisotropy of InAs submonolayer quantum wells in a (311) GaAs matrix
会议论文
APPLIED SURFACE SCIENCE, 123, CARDIFF, WALES, JUN 23-27, 1997
作者:
Chen YH
;
Yang Z
;
Wang ZG
;
Xu B
;
Liang JB
;
Qian JJ
;
Chen YH Hong Kong Univ Sci & Technol Dept Phys Clear Water Bay Kowloon Hong Kong.
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浏览/下载:1419/301
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提交时间:2010/11/15
Znse/gaas Interface
States