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High brightness AlGaInP orange light emitting diodes 会议论文
DISPLAY DEVICES AND SYSTEMS II, 3560, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 16-17, 1998
作者:  Li YZ;  Wang GH;  Ma XY;  Peng HI;  Wang ST;  Chen LH;  Li YZ Chinese Acad Sci Inst Semicond Natl Engn Res Ctr Optoelect Devices POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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High Brightness  Led  Mocvd  Algainp  
Coupled AlxGa1-xAs-AlAs distributed Bragg reflectors for high brightness AlGaInP light emitting diodes 会议论文
DISPLAY DEVICES AND SYSTEMS II, 3560, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 16-17, 1998
作者:  Wang GH;  Ma XY;  Zhang YF;  Peng HI;  Wang ST;  Li YZ;  Chen LH;  Wang GH Chinese Acad Sci Inst Semicond Natl Engn Res Ctr Optoelect Devices POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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Led  Coupled Distributed Bragg Reflector  Mocvd  Algainp  
High temperature operation of 650nm AlGaInP quantum well laser diodes grown by LP-MOCVD 会议论文
OPTOELECTRONIC MATERIALS AND DEVICES, 3419, TAIPEI, TAIWAN, JUL 09-11, 1998
作者:  Ma XY;  Cao Q;  Wang ST;  Guo L;  Lian P;  Wang LM;  Zhang XY;  Yang YL;  Zhang HQ;  Wang GH;  Chen LH;  Ma XY Chinese Acad Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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Algainp  Quantum Well  Laser Diode  Mocvd  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Duan SK;  Teng XG;  Wang YT;  Li GH;  Jiang HX;  Han P;  Lu DC;  Duan SK,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Natl Integrated Optoelect Lab,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China. 电子邮箱地址: skduan@red.semi.ac.cn
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InAs/GaAs量子点和量子阱的静压光谱研究 成果
1998
主要完成人:  李国华;  韩和相;  汪兆平;  刘振先;  郑宝真
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Inas/gaas  
MOVPE growth of GaN and LED on (111) MgAl2O4 会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 189, TOKUSHIMA CITY, JAPAN, OCT 27-31, 1997
作者:  Duan SK;  Teng XG;  Wang YT;  Li GH;  Jiang HX;  Han P;  Lu DC;  Duan SK Chinese Acad Sci Inst Semicond Natl Integrated Optoelect Lab POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. 电子邮箱地址: skduan@red.semi.ac.cn
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Gan  Mgal2o4  Movpe  Led  Diodes  
高亮度AlGaInP发光二极管的研制 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 1998
作者:  王国宏
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yin F;  Xiao XR;  Li XP;  Zhang ZZ;  Zhang BW;  Cao Y;  Li GH;  Wang ZP;  Xiao XR,Chinese Acad Sci,Inst Photog Chem,Beijing 100101,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu NZ;  Zhu ZM;  Li GH;  Han HX;  Wang ZP;  Ge WK;  Sou IK;  Liu NZ,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Natl Lab Superlattices & Microstruct,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yin F;  Li XP;  Xiao XR;  Zhang BW;  Cao Y;  Chen JR;  Li GH;  Han HX;  Wang ZP;  Yin F,Chinese Acad Sci,Inst Photog Chem,Beijing 100101,Peoples R China.
Adobe PDF(89Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1118/283  |  提交时间:2010/08/12