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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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作者
陈良惠 [2]
江德生 [1]
刘剑 [1]
文献类型
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成果 [1]
发表日期
1998 [26]
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发表日期:1998
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High brightness AlGaInP orange light emitting diodes
会议论文
DISPLAY DEVICES AND SYSTEMS II, 3560, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 16-17, 1998
作者:
Li YZ
;
Wang GH
;
Ma XY
;
Peng HI
;
Wang ST
;
Chen LH
;
Li YZ Chinese Acad Sci Inst Semicond Natl Engn Res Ctr Optoelect Devices POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
High Brightness
Led
Mocvd
Algainp
Coupled AlxGa1-xAs-AlAs distributed Bragg reflectors for high brightness AlGaInP light emitting diodes
会议论文
DISPLAY DEVICES AND SYSTEMS II, 3560, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 16-17, 1998
作者:
Wang GH
;
Ma XY
;
Zhang YF
;
Peng HI
;
Wang ST
;
Li YZ
;
Chen LH
;
Wang GH Chinese Acad Sci Inst Semicond Natl Engn Res Ctr Optoelect Devices POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:1510/352
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提交时间:2010/10/29
Led
Coupled Distributed Bragg Reflector
Mocvd
Algainp
High temperature operation of 650nm AlGaInP quantum well laser diodes grown by LP-MOCVD
会议论文
OPTOELECTRONIC MATERIALS AND DEVICES, 3419, TAIPEI, TAIWAN, JUL 09-11, 1998
作者:
Ma XY
;
Cao Q
;
Wang ST
;
Guo L
;
Lian P
;
Wang LM
;
Zhang XY
;
Yang YL
;
Zhang HQ
;
Wang GH
;
Chen LH
;
Ma XY Chinese Acad Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:1411/275
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提交时间:2010/10/29
Algainp
Quantum Well
Laser Diode
Mocvd
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Duan SK
;
Teng XG
;
Wang YT
;
Li GH
;
Jiang HX
;
Han P
;
Lu DC
;
Duan SK,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Natl Integrated Optoelect Lab,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China. 电子邮箱地址: skduan@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/08/12
InAs/GaAs量子点和量子阱的静压光谱研究
成果
1998
主要完成人:
李国华
;
韩和相
;
汪兆平
;
刘振先
;
郑宝真
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提交时间:2010/04/13
Inas/gaas
MOVPE growth of GaN and LED on (111) MgAl2O4
会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 189, TOKUSHIMA CITY, JAPAN, OCT 27-31, 1997
作者:
Duan SK
;
Teng XG
;
Wang YT
;
Li GH
;
Jiang HX
;
Han P
;
Lu DC
;
Duan SK Chinese Acad Sci Inst Semicond Natl Integrated Optoelect Lab POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. 电子邮箱地址: skduan@red.semi.ac.cn
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浏览/下载:1664/364
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提交时间:2010/11/15
Gan
Mgal2o4
Movpe
Led
Diodes
高亮度AlGaInP发光二极管的研制
学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 1998
作者:
王国宏
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浏览/下载:1132/36
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提交时间:2009/04/13
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Yin F
;
Xiao XR
;
Li XP
;
Zhang ZZ
;
Zhang BW
;
Cao Y
;
Li GH
;
Wang ZP
;
Xiao XR,Chinese Acad Sci,Inst Photog Chem,Beijing 100101,Peoples R China.
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浏览/下载:2132/293
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Liu NZ
;
Zhu ZM
;
Li GH
;
Han HX
;
Wang ZP
;
Ge WK
;
Sou IK
;
Liu NZ,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Natl Lab Superlattices & Microstruct,Beijing 100083,Peoples R China.
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浏览/下载:809/245
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Yin F
;
Li XP
;
Xiao XR
;
Zhang BW
;
Cao Y
;
Chen JR
;
Li GH
;
Han HX
;
Wang ZP
;
Yin F,Chinese Acad Sci,Inst Photog Chem,Beijing 100101,Peoples R China.
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浏览/下载:1118/283
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提交时间:2010/08/12