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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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研究单元&专题
中国科学院半导体研究... [7]
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会议论文 [7]
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2002 [3]
2001 [1]
2000 [1]
1999 [1]
1998 [1]
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APOC 2001:... [1]
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收录类别:CPCI\-S
文献类型:会议论文
专题:中国科学院半导体研究所(2009年前)
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Fabrication of 1.3 mu m Si-based MEMS tunable optical filter
会议论文
MEMS/MOEMS TECHNOLOGIES AND APPLICATIONS, 4928, SHANGHAI, PEOPLES R CHINA, OCT 17-18, 2002
作者:
Zuo YH
;
Huang CJ
;
Cheng BW
;
Mao RW
;
Luo LP
;
Gao JH
;
Bai YX
;
Wang LC
;
Yu JZ
;
Wang QM
;
Zuo YH Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Fabry-perot
Tunable Filter
Surface Micromaching
Cavity
Temperature dependence of photoluminescence of flat and undulated SiGe/Si multiple quantum wells
会议论文
INTERNATIONAL JOURNAL OF MODERN PHYSICS B, 16 (28-29), XIAN, PEOPLES R CHINA, JUN 10-14, 2002
作者:
Cheng BW
;
Zhang JG
;
Zuo YH
;
Mao RW
;
Huang CJ
;
Luo LP
;
Yao F
;
Wang QM
;
Cheng BW Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:1210/201
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提交时间:2010/11/15
Si-ge Alloys
Growth
Layers
Type-II SiGe/Si MQWS (multi-quantum wells) and self-organized Ge/Si islands grown by UHV/CVD system
会议论文
INTERNATIONAL JOURNAL OF MODERN PHYSICS B, 16 (28-29), XIAN, PEOPLES R CHINA, JUN 10-14, 2002
作者:
Yu JZ
;
Huang CJ
;
Cheng BW
;
Zuo YH
;
Luo LP
;
Wang QM
;
Yu JZ Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
Adobe PDF(1587Kb)
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浏览/下载:1127/164
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提交时间:2010/11/15
Optical characterization of the Ge/Si (001) islands in multilayer structure
会议论文
APOC 2001: ASIA-PACIFIC OPTICAL AND WIRELESS COMMUNICATIONS: OPTOELECTRONICS, MATERIALS, AND DEVICES FOR COMMUNICATIONS, 4580, BEIJING, PEOPLES R CHINA, NOV 12-15, 2001
作者:
Huang CJ
;
Zuo YH
;
Li C
;
Li DZ
;
Cheng BW
;
Luo LP
;
Yu JZ
;
Wang QM
;
Huang CJ Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:1432/297
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提交时间:2010/10/29
Ge/si Islands
Quantum Dot
Band Alignment
Pl
Si/si1-xgex Quantum-wells
Stranski-krastanov Growth
Ii Band Alignment
Ge Islands
Temperature-dependence
Photoluminescence
Layers
Luminescence
Organization
Mechanism
SiGe/Si quantum well resonant-cavity-enhanced photodetector
会议论文
TERAHERTZ AND GIGAHERTZ ELECTRONICS AND PHOTONICS II, 4111, SAN DIEGO, CA, JUL 31-AUG 02, 2000
作者:
Li C
;
Yang QQ
;
Wang HJ
;
Zhu JL
;
Luo LP
;
Yu JZ
;
Wang QM
;
Li C Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:1767/274
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提交时间:2010/10/29
Rce Photodetector
Sige/si
Simox
Bragg Reflector
Normal-incident SiGe/Si MQWs photodetectors operating at 1.3 mu m
会议论文
PHOTONICS TECHNOLOGY INTO THE 21ST CENTURY: SEMICONDUCTORS, MICROSTRUCTURES, AND NANOSTRUCTURES, 3899, SINGAPORE, SINGAPORE, DEC 01-03, 1999
作者:
Cheng BW
;
Li C
;
Yang QQ
;
Wang HJ
;
Luo LP
;
Yu JZ
;
Wang QM
;
Cheng BW Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:1210/229
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提交时间:2010/10/29
Sige/si
Mqws
Photodetector
1.3 Mu-m
Si/sio2
Visible vertical cavity surface emitting laser
会议论文
SEMICONDUCTOR LASERS III, 3547, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 16-18, 1998
作者:
Cheng P
;
Ma XY
;
Gao JH
;
Kang XJ
;
Cao Q
;
Wang HJ
;
Luo LP
;
Zhang CH
;
Lu XL
;
Lin SM
;
Cheng P Acad Sinica Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Semiconductor Lasers
Oxidation