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| 氮化镓基双异质结场效应晶体管结构及制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-17, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王晓亮; 马志勇; 冉学军; 肖红领; 王翠梅; 胡国新; 唐健; 罗卫军 Adobe PDF(986Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1681/189  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种异质结双极晶体管及其制备方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 姚飞; 薛春来; 成步文; 王启明 Adobe PDF(635Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1347/199  |  提交时间:2009/06/11 |
| 氮化镓基异质结场效应晶体管结构及制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-12, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 马志勇; 王晓亮; 冉军学; 胡国新; 肖红领; 王翠梅; 罗卫军 Adobe PDF(1062Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1572/181  |  提交时间:2009/06/11 |
| 宽带隙氮化镓基异质结场效应晶体管结构及制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王晓亮; 马志勇; 胡国新; 肖红领; 冉军学; 王翠梅; 罗卫军 Adobe PDF(1354Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1517/172  |  提交时间:2009/06/11 |
| 微电子与光电子集成技术 专著 北京:电子工业出版社, 2008 作者: 陈弘达 JPEG(22Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:4036/803  |  提交时间:2009/09/19 |
| GaN 基异质结中的极化效应及Si 衬底GaN 生长研究 学位论文 , 北京: 中国科学院半导体研究所, 2008 作者: 郭伦春 Adobe PDF(2082Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1132/58  |  提交时间:2009/04/13 |
| 稀磁半导体(Ga,Mn)As和铁磁金属-半导体异质结Fe/GaAs铁磁相变过程的研究 学位论文 , 北京: 中国科学院半导体研究所, 2008 作者: 杨威 Adobe PDF(5768Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:760/25  |  提交时间:2009/04/13 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 刘素平; 仲莉; 张海燕; 王翠鸾; 冯小明; 马骁宇 Adobe PDF(702Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:985/342  |  提交时间:2010/11/23 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 张永; 李成; 赖虹凯; 陈松岩; 康俊勇; 成步文; 王启明 Adobe PDF(760Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1085/331  |  提交时间:2010/11/23 |