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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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研究单元&专题
中国科学院半导体研究... [4]
作者
文献类型
会议论文 [4]
发表日期
2001 [1]
1999 [2]
1998 [1]
语种
英语 [4]
出处
ELECTRON M... [1]
JOURNAL OF... [1]
JOURNAL OF... [1]
JOURNAL OF... [1]
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High-quality metamorphic HEMT grown on GaAs substrates by MBE
会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 227, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 11-15, 2000
作者:
Zeng YP
;
Cao X
;
Cui LJ
;
Kong MY
;
Pan L
;
Wang BQ
;
Zhu ZP
;
Cao X Chinese Acad Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Molecular Beam Epitaxy
High Electron Mobility Transistors
Density
Structural and infrared absorption properties of self-organized InGaAs GaAs quantum dots multilayers
会议论文
JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS, 28 (5), CHARLOTTESVILLE, VIRGINIA, JUN 24-26, 1998
作者:
Zhuang QD
;
Li JM
;
Zeng YP
;
Pan L
;
Chen YH
;
Kong MY
;
Lin LY
;
Zhuang QD Chinese Acad Sci Inst Semicond Novel Mat Ctr POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
InGaas Gaas Quantum Dots
Infrared Absorption
Self-organization
X-ray-diffraction
Islands
Transitions
Self-organization of the InGaAs GaAs quantum dots superlattice
会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 201, CANNES, FRANCE, AUG 31-SEP 04, 1998
作者:
Zhuang QD
;
Li HX
;
Pan L
;
Li JM
;
Kong MY
;
Lin LY
;
Zhuang QD Chinese Acad Sci Inst Semicond Novel Mat Ctr Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
X-ray-diffraction
Islands
Surfaces
Growth
Dislocations in InAs epilayers grown by MBE on GaAs substrates under various conditions
会议论文
ELECTRON MICROSCOPY OF SEMICONDUCTING MATERIALS AND ULSI DEVICES, 523, SAN FRANCISCO, CA, APR 15-16, 1998
作者:
Wang HM
;
Zeng YP
;
Pan L
;
Zhou HW
;
Zhu ZP
;
Kong MY
;
Wang HM Chinese Acad Sci Inst Semicond Div Novel Mat POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29