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Recent research results on deep level defects in semi-insulating InP - Application to improve material quality
会议论文
2006 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials Conference Proceedings, Princeton, NJ, MAY 07-11, 2006
作者:
Zhao, YW (Zhao, Youwen)
;
Dong, ZY (Dong, Zhiyuan)
;
Dong, HW (Dong, Hongwei)
;
Sun, NF (Sun, Niefeng)
;
Sun, TN (Sun, Tongnian)
;
Zhao, YW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/29
Stimulated Current Spectroscopy
Current Transient Spectroscopy
Fe-doped Inp
Point-defects
Compensation
Temperature
Donors
Traps
Annealing ambient controlled deep defect formation in InP
会议论文
EUROPEAN PHYSICAL JOURNAL-APPLIED PHYSICS, 27 (1-3), Batz sur Mer, FRANCE, SEP 29-OCT 02, 2003
作者:
Zhao YW
;
Dong ZY
;
Duan ML
;
Sun WR
;
Zeng YP
;
Sun NF
;
Sun TN
;
Zhao YW Chinese Acad Sci Inst Semicond Ctr Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. 电子邮箱地址: zhaoyw@red.semi.ac.nc
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提交时间:2010/10/29
Fe-doped Inp
Semiinsulating Inp
Point-defects
Pressure
Wafers
Traps
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhao, YW
;
Dong, ZY
;
Duan, ML
;
Sun, WR
;
Zeng, YP
;
Sun, NF
;
Sun, TN
;
Zhao, YW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Ctr Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhaoyw@red.semi.ac.nc
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提交时间:2010/03/09
Shallow donor defect formation and its influence on semi-insulating indium phosphide after high temperature annealing with long duration
会议论文
SMIC-XIII2004 13th International Conference on Semiconducting & Insulating Materials, Beijing, PEOPLES R CHINA, SEP 20-25, 2004
作者:
Zhao, YW
;
Dong, ZY
;
Zhang, YH
;
Li, CJ
;
Zhao, YW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Ctr Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/29
Deep-level Defects
Fe-doped Inp
Grown Inp
Spectroscopy
Resonance
Wafer
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Dong ZY
;
Zhao YW
;
Zeng YP
;
Duan ML
;
Sun WR
;
Jiao JH
;
Lin LY
;
Dong ZY,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Ctr Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Dong HW
;
Zhao YW
;
Lu HP
;
Jiao JH
;
Zhao JQ
;
Lin LY
;
Dong HW,Chinese Acad Sci,Ctr Mat Sci,Inst Semicond,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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浏览/下载:1009/327
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Dong HW
;
Zhao YW
;
Zhang YH
;
Jiao JH
;
Zhao JQ
;
Lin LY
;
Dong HW,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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提交时间:2010/08/12