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Mechanism on exciton-mediated energy transfer in erbium-doped silicon 会议论文
OPTICAL MATERIALS, 14 (3), BEIJING, PEOPLES R CHINA, JUN 13-18, 1999
作者:  Lei HB;  Yang QQ;  Ou HY;  Wang QM;  Lei HB Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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Er-doped Silicon  Photoluminescence  Energy Transfer  Al2o3 Wave-guides  Er  Electroluminescence  Epitaxy  Gaas  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Lei HB;  Yang QQ;  Ou HY;  Wang QM;  Lei HB,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,State Key Lab Integrated Optoelect,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
Adobe PDF(229Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：921/266  |  提交时间：2010/08/12