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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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期刊论文
作者:
Wang, LL
;
An, JM
;
Wu, YD
;
Zhang, JS
;
Wang, Y
;
Li, JG
;
Wang, HJ
;
Zhang, XG
;
Pan, P
;
Zhang, LY
;
Dai, HQ
;
Liu, RD
;
Zhong, F
;
Zha, Q
;
Hu, XW
;
Zhao, DG
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提交时间:2015/03/20
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期刊论文
作者:
Wang, LL
;
An, JM
;
Wu, YD
;
Wang, Y
;
Zhang, JS
;
Li, JG
;
Wang, HJ
;
Zhang, XG
;
Pan, P
;
Dai, HQ
;
Qi, Y
;
Zhong, F
;
Zha, Q
;
Hu, XW
;
Zhao, DG
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提交时间:2015/03/25
无权访问的条目
期刊论文
作者:
陈少武
;
余金中
;
徐学俊
;
黄庆忠
;
余和军
;
屠晓光
;
李运涛
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提交时间:2010/11/23
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期刊论文
作者:
屠晓光
;
陈少武
;
余金中
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提交时间:2010/11/23
硅基高量子效率共振腔增强型探测器及制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-06-08, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
毛容伟
;
滕学公
;
李传波
;
左玉华
;
罗丽萍
;
成步文
;
于金中
;
王启明
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提交时间:2009/06/11
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期刊论文
作者:
毛容伟
;
成步文
;
李传波
;
左玉华
;
滕学公
;
罗丽萍
;
余金中
;
王启明
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提交时间:2010/11/23
Space-grown SI-GaAs and its application
会议论文
2002 12TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SEMICONDUCTING & INSULATING MATERIALS, SMOLENICE, SLOVAKIA, JUN 30-JUL 05, 2002
作者:
Chen NF
;
Zhong XG
;
Zhang M
;
Lin LY
;
Chen NF Chinese Acad Sci Inst Semicond Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Semiinsulating Gallium-arsenide
Floating-zone Growth
Crystal-growth
Zero Gravity
Microgravity
Segregation
Stoichiometry
Silicon
Defects
Insb
无权访问的条目
期刊论文
作者:
梁晓甘
;
江德生
;
边历峰
;
潘钟
;
李联合
;
吴荣汉
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提交时间:2010/11/23
Stoichiometry in GaAs grown in outer space measured nondestructively
会议论文
NONDESTRUCTIVE CHARACTERIZATION OF MATERIALS IX, 497, SYDNEY, AUSTRALIA, JUN 28-JUL 02, 1999
作者:
Chen NF
;
Zhong XG
;
Lin LY
;
Chen NF Chinese Acad Sci Lab Semicond Mat Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:1042/0
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提交时间:2010/10/29
Semiinsulating Gallium-arsenide
Crystals
Defects
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Lin LY
;
Zhang MA
;
Zhong XG
;
Yamada M
;
Chen NF
;
Chen NF,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,Beijing 100083,Peoples R China.
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提交时间:2010/08/12