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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zheng GL (Zheng Gaolin);  Wang J (Wang Jun);  Liu XL (Liu Xianglin);  Yang AL (Yang Anli);  Song HP (Song Huaping);  Guo Y (Guo Yan);  Wei HY (Wei Hongyuan);  Jiao CM (Jiao Chunmei);  Yang SY (Yang Shaoyan);  Zhu QS (Zhu Qinsheng);  Wang ZG (Wang Zhanguo);  Zheng, GL, 35 Tsinghua E Rd, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhenggl@semi.ac.cn;  xlliu@semi.ac.cn
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ZnO材料的MOCVD生长及退火研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2010
作者:  郑高林
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利用非极性ZnO缓冲层生长非极性InN薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010157517.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  郑高林;  杨安丽;  宋华平;  郭严;  魏鸿源;  刘祥林;  朱勤生;  杨少延;  王占国
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一种生长高质量富In组分InGaN薄膜材料的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010157637.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  郭严;  宋华平;  郑高林;  魏鸿源;  刘祥林;  朱勤生;  杨少延;  王占国
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