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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Jia, Li-Fang;   Zhang, Lian;   Xiao, Jin-Ping;   Cheng, Zhe;   Lin, De-Feng;   Ai, Yu-Jie;   Zhao, Jin-Chao;   Zhang, Yun
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一种生长氧化锌薄膜的装置及方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨少延;  刘祥林;  赵凤瑷;  焦春美;  董向芸;  张晓沛;  范海波;  魏宏源;  张攀峰;  王占国
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电磁阀 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-09-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  刘祥林;  焦春美;  赵风瑷
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Hu, WG (Hu Wei-Guo);  Liu, XL (Liu Xiang-Lin);  Zhang, PF (Zhang Pan-Feng);  Zhao, FA (Zhao Feng-Ai);  Jiao, CM (Jiao Chun-Mei);  Wei, HY (Wei Hong-Yuan);  Zhang, RQ (Zhang Ri-Qing);  Wu, JJ (Wu Jie-Jun);  Cong, GW (Cong Guang-Wei);  Pan, Y (Pan Yi);  Hu, WG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: sivamay@semi.ac.cn
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原位非接触探测MOCVD石墨温度分布的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-10-11, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  刘祥林;  赵凤瑷;  焦春美
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Kang TT (Kang Ting-Ting);  Liu X (Liu Xianglin);  Zhang RQ (Zhang Ri Q.);  Hu WG (Hu Wei G.);  Cong G (Cong Guangwei);  Zhao FA (Zhao Feng-Ai);  Zhu Q (Zhu Qinsheng);  Kang, TT, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: ktt219@163.com
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InP 基半导体量子点、量子线的分子束外延生长、表征及生长机理研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2004
作者:  赵凤瑷
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  朱天伟;  徐波;  何军;  赵凤瑷;  张春玲;  谢二庆;  刘峰奇;  王占国
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  赵凤瑷;  张春玲;  王占国
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  赵凤瑷;  张春玲;  王占国
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