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中国科学院半导体研究所机构知识库
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期刊论文
作者:
Ding, K
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Wang, CY
;
Zhang, BT
;
Zhang, Y
;
Guan, M
;
Cui, LJ
;
Zhang, YW
;
Zeng, YP
;
Lin, Z
;
Huang, F
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提交时间:2015/04/02
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Wang BT (Wang Bao-Tian)
;
Shi HL (Shi Hongliang)
;
Li WD (Li Weidong)
;
Zhang P (Zhang Ping)
;
Zhang, P, Inst Appl Phys & Computat Math, LCP, POB 8009, Beijing 100088, Peoples R China. E-mail Address: zhang_ping@iapcm.ac.cn
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浏览/下载:1335/368
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提交时间:2010/04/13
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Wang BT (Wang Bao-Tian)
;
Zhang P (Zhang Ping)
;
Song HZ (Song Hongzhou)
;
Shi HL (Shi Hongliang)
;
Li DF (Li Dafang)
;
Li WD (Li Wei-Dong)
;
Zhang, P, Inst Appl Phys & Computat Math, LCP, POB 8009, Beijing 100088, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhang_ping@iapcm.ac.cn
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提交时间:2010/07/18
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Shi HL (Shi Hongliang)
;
Zhang P (Zhang Ping)
;
Li SS (Li Shu-Shen)
;
Wang BT (Wang Baotian)
;
Sun B (Sun Bo)
;
Zhang, P, Inst Appl Phys & Computat Math, LCP, POB 8009, Beijing 100088, Peoples R China. E-mail Address: zhang_ping@iapcm.ac.cn
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提交时间:2010/04/21
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Wang BT (Wang Bao-Tian)
;
Shi HL (Shi Hongliang)
;
Li WD (Li Wei-Dong)
;
Zhang P (Zhang Ping)
;
Zhang, P, Inst Appl Phys & Computat Math, LCP, POB 8009, Beijing 100088, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhang_ping@iapcm.ac.cn
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提交时间:2010/06/18
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Li DF (Li Dafang)
;
Liu HY (Liu Hanyu)
;
Wang BT (Wang Baotian)
;
Shi HL (Shi Hongliang)
;
Zhu SP (Zhu Shaoping)
;
Yan J (Yan Jun)
;
Zhang P (Zhang Ping)
;
Zhang, P, Inst Appl Phys & Computat Math, LCP, POB 8009, Beijing 100088, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhang_ping@iapcm.ac.cn
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提交时间:2010/11/02
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Wang BT
;
Zhang P
;
Shi HL
;
Sun B
;
Li WD
;
Wang, BT, Shanxi Univ, Inst Theoret Phys, Taiyuan 030006, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhang_ping@iapcm.ac.cn
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浏览/下载:1389/359
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提交时间:2010/04/28
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Shi HL
;
Zhang P
;
Li SS
;
Sun B
;
Wang BT
;
Zhang P Inst Appl Phys & Computat Math LCP POB 8009 Beijing 100088 Peoples R China. E-mail Address: zhang_ping@iapcm.ac.cn
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提交时间:2010/03/08
Si衬底上GaN薄膜的生长方法及复合GaN薄膜
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-22
发明人:
刘波亭
;
马平
;
郭仕宽
;
甄爱功
;
张烁
;
吴冬雪
;
王军喜
;
李晋闽
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浏览/下载:954/10
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提交时间:2016/09/22
具有氮化镓系高阻层的HEMT及制备方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-22
发明人:
张烁
;
马平
;
郭仕宽
;
刘波亭
;
李晋闽
;
王军喜
Adobe PDF(424Kb)
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提交时间:2016/09/22