| Si衬底上GaN薄膜的生长方法及复合GaN薄膜 | |
| 刘波亭; 马平; 郭仕宽; 甄爱功; 张烁; 吴冬雪; 王军喜; 李晋闽 | |
| 专利权人 | 中国科学院半导体所 |
| 公开日期 | 2016-09-22 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明 |
| 学科领域 | 半导体器件 |
| 申请日期 | 2015-08-17 |
| 申请号 | CN201510504913.1 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/27477 |
| 专题 | 中科院半导体照明研发中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘波亭,马平,郭仕宽,等. Si衬底上GaN薄膜的生长方法及复合GaN薄膜. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| Si衬底上GaN薄膜的生长方法及复合Ga（333KB） | 限制开放 | 使用许可 | 请求全文 | |||
| 个性服务 |
| 推荐该条目 |
| 保存到收藏夹 |
| 查看访问统计 |
| 导出为Endnote文件 |
| 谷歌学术 |
| 谷歌学术中相似的文章 |
| [刘波亭]的文章 |
| [马平]的文章 |
| [郭仕宽]的文章 |
| 百度学术 |
| 百度学术中相似的文章 |
| [刘波亭]的文章 |
| [马平]的文章 |
| [郭仕宽]的文章 |
| 必应学术 |
| 必应学术中相似的文章 |
| [刘波亭]的文章 |
| [马平]的文章 |
| [郭仕宽]的文章 |
| 相关权益政策 |
| 暂无数据 |
| 收藏/分享 |
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论