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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xu, XQ;  Liu, XL;  Han, XX;  Yuan, HR;  Wang, J;  Guo, Y;  Song, HP;  Zheng, GL;  Wei, HY;  Yang, SY;  Zhu, QS;  Wang, ZG;  Xu, XQ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: xlliu@red.semi.ac.cn;  qszhu@semi.ac.cn
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Effects of polarization field on formation of two-dimensional electron gas in (0001) and (11(2)over-bar0) plane AlGaN/GaN heterostructures 会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 268 (3-4), Singapore, SINGAPORE, DEC 07-12, 2003
作者:  Chen Z;  Chua SJ;  Yuan HR;  Liu XL;  Lu DC;  Han PD;  Wang ZG;  Chen Z Singapore MIT Alliance AMMNS E4-04-10NUS4 Engn Dr3 Singapore 117576 Singapore. 电子邮箱地址: smacz@nus.edu.sg
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Metalorganic Chemical Vapor Deposition  Semiconducting Iii-v Materials  Doped Al(x)Ga1-xn/gan Heterostructures  Carrier Confinement  Effect Transistors  Photoluminescence  Mobility  Heterojunction  Interface  Hfets  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Chen, Z;  Chua, SJ;  Yuan, HR;  Liu, XL;  Lu, DC;  Han, PD;  Wang, ZG;  Chen, Z, Singapore MIT Alliance, AMMNS, E4-04-10,NUS,4 Engn Dr,3, Singapore 117576, Singapore. 电子邮箱地址: smacz@nus.edu.sg
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Han XX;  Li DB;  Yuan HR;  Sun XH;  Liu XL;  Wang XH;  Zhu QS;  Wang ZG;  Han, XX, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: xxhan@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Chen Z;  Lu DC;  Liu XL;  Wang XH;  Han PD;  Wang D;  Yuan HR;  Wang ZG;  Li GH;  Fang ZL;  Chen Z,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Key Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Lu YA;  Liu XL;  Lu DC;  Yuan HR;  Hu GQ;  Wang XH;  Wang ZG;  Duan XF;  Lu DC,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Key Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  严莉;  陈晓阳;  何世堂;  李红浪;  韩培德;  陈振;  陆大成;  刘祥林;  王晓晖;  李昱峰;  袁海荣;  陆沅;  黎大兵;  朱勤生;  王占国
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  王晓晖;  李昱峰;  陆大成;  刘祥林;  袁海荣;  陆沅;  黎大兵;  王秀凤;  朱勤生;  王占国;  陈振;  韩培德
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Ⅲ族氮化物单/多层异质应变薄膜的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2002-08-21, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陈振;  陆大成;  刘祥林;  王晓晖;  袁海荣;  王占国
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半导体面发光器件及增强横向电流扩展的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2002-03-06, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  刘祥林;  陆大成;  王晓晖;  袁海荣
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