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硅基选区外延III-V族材料及激光器研究 学位论文
工学博士, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2023
作者:  杨正霞
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Shi, C;  Yang, J;  Han, Y;  Cao, ZX;  Qin, Q;  Liu, LY;  Wu, NJ;  Wang, ZH
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu W;  Wang XD;  Li YQ;  Geng ZX;  Yang FH;  Li JM;  Wang, XD, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Engn Res Ctr Semicond Integrated Technol, Beijing 100083, Peoples R China. xdwang@semi.ac.cn
Adobe PDF(1050Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1989/807  |  提交时间：2011/07/06
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Geng ZX;  Liu W;  Wang XD;  Yang FH;  Yang, FH (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Engn Res Ctr Semicond Integrated Technol, Beijing 100083, Peoples R China, fhyang@semi.ac.cn
Adobe PDF(1707Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1094/365  |  提交时间：2012/01/06
无权访问的条目 期刊论文
作者:  He, XW;  Shen, B;  Chen, YH;  Zhang, Q;  Han, K;  Yin, CM;  Tang, N;  Xu, FJ;  Tang, CG;  Yang, ZJ;  Qin, ZX;  Zhang, GY;  Wang, ZG;  He, XW, Peking Univ, State Key Lab Artificial Microstruct & Mesosco Ph, Sch Phys, Beijing 100871, Peoples R China. 电子邮箱地址: bshen@pku.edu.cn;  yhchen@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(398Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1270/281  |  提交时间：2010/03/08
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao YW;  Dong ZY;  Duan ML;  Sun WR;  Yang ZX;  Zhao, YW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: zhaoyw@red.semi.ac.cn
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Growth of high quality semi-insulating InP single crystal by suppression of compensation defects 会议论文
JOURNAL OF RARE EARTHS, Beijing, PEOPLES R CHINA, OCT 16-19, 2005
作者:  Zhao, YW;  Dong, ZY;  Duan, ML;  Sun, WR;  Yang, ZX;  Zhao, YW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhaoyw@red.semi.ac.cn
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Indium Phosphide  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  赵有文;  孙文荣;  段满龙;  董志远;  杨子祥;  吕旭如;  王应利
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  赵有文;  董志远;  孙文荣;  段满龙;  杨子祥;  吕旭如
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磷化铟单晶片的抛光工艺 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2003-03-12, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  董宏伟;  赵有文;  杨子祥;  焦景华
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