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无权访问的条目 期刊论文
作者:  XiaoyeWang;  WennaDu;  XiaoguangYang;  XingwangZhang;  TaoYang
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang SG;  Zhang XW;  Wang JX;  You JB;  Yin ZG;  Dong JJ;  Cui B;  Wowchak AM;  Dabiran AM;  Chow PP;  Zhang, XW, CAS, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. xwzhang@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang SG;  Zhang XW;  Yin ZG;  Wang JX;  Dong JJ;  Wang ZG;  Qu S;  Cui B;  Wowchak AM;  Dabiran AM;  Chow PP;  Zhang, XW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. xwzhang@semi.ac.cn
Adobe PDF(3266Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1379/380  |  提交时间：2011/07/05
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ying J;  Zhang XW;  Yin ZG;  Tan HR;  Zhang SG;  Fan YM;  Ying, J, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. xwzhang@semi.ac.cn
Adobe PDF(344Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1476/371  |  提交时间：2011/07/05
无权访问的条目 期刊论文
作者:  屈盛;  张兴旺;  毛和璜;  余银祥;  韩增华;  汤叶华;  周春兰;  王文静
Adobe PDF(290Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1067/331  |  提交时间：2012/07/17
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Bai YM;  Wang J;  Wang Y;  Zhang H;  Chen NF;  Yao JX;  Huang TM;  Wang YS;  Zhang XW;  Wu JL;  Bai, YM, N China. Elect Power Univ, New & Renewable Energy Beijing Key Lab, Beijing 102206, Peoples R China. ymbai@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yang J;  You JB;  Chen CC;  Hsu WC;  Tan HR;  Zhang XW;  Hong ZR;  Yang Y;  Yang, J (reprint author), Univ Calif Los Angeles, Dept Mat Sci & Engn, Los Angeles, CA 90095 USA. yangy@ucla.edu
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Bai YM;  Zhang H;  Wang J;  Chen NF;  Yao JX;  Huang TM;  Zhang XW;  Yin ZG;  Fu Z;  Bai, YM, N China. Elect Power Univ, Beijing Key Lab New & Renewable Energy, Beijing 102206, Peoples R China. ymbai@semi.ac.cn
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降低立方氮化硼薄膜应力的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-03-17, 2010-08-12
发明人:  范亚明;  张兴旺;  谭海仁;  陈诺夫
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一种改善ZnO薄膜欧姆接触的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-03-31, 2010-08-12
发明人:  张兴旺;  蔡培锋;  游经碧;  范亚明;  高 云;  陈诺夫
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