中文版 | English

在结果中检索

SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共55条，第1-10条 帮助

已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao, Zhuangzhuang;   Xie, Yiyang;   Pan, Guanzhong;   Ni, Peinan;   Wang, Qiuhua;   Dong, Yibo;   Hu, Liangchen;   Sun, Jie;   Chen, Hongda;   Xu, Chen;   Genevet, Patrice
Adobe PDF(2990Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：0/0  |  提交时间：2022/12/29
无权访问的条目 期刊论文
作者:  黄亚军;  刘志强;  伊晓燕;  王良臣;  王军喜;  李晋闽
Adobe PDF(219Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1826/705  |  提交时间：2011/08/16
无权访问的条目 期刊论文
作者:  潘岭峰;  李琪;  刘志强;  王晓峰;  伊晓燕;  王良臣;  王军喜
Adobe PDF(380Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1321/397  |  提交时间：2012/07/17
采用全光学膜体系的垂直结构发光二极管制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-01-28, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  伊晓燕;  王良臣;  王国宏;  李晋闽
Adobe PDF(529Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1633/250  |  提交时间：2009/06/11
光学复合膜作电极的GaN功率型LED的制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-01-28, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  李晋闽;  王晓东;  王国宏;  王良臣;  杨富华
Adobe PDF(606Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1376/201  |  提交时间：2009/06/11
GaN基功率型LED的P、N双透明接触电极及制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-10-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王立彬;  王良臣
Adobe PDF(496Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1485/189  |  提交时间：2009/06/11
一种氮化镓基小芯片LED阵列结构及制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-10-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王立彬;  伊晓燕;  刘志强;  陈宇;  郭德博;  王良臣
Adobe PDF(462Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1717/265  |  提交时间：2009/06/11
低损伤PECVD沉积致密SiO2的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-05-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陈宇;  王良臣;  伊晓燕;  李艳
Adobe PDF(386Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1607/257  |  提交时间：2009/06/11
P型氮化镓电极的制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-05-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陈宇;  王良臣;  伊晓燕
Adobe PDF(368Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1497/202  |  提交时间：2009/06/11
GaN基功率型LED的N型欧姆接触电极的制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-05-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陈宇;  王良臣;  伊晓燕;  郭金霞
Adobe PDF(581Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1624/229  |  提交时间：2009/06/11