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在本征砷化镓表面77K以下实现欧姆接触的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-03-17, 2010-08-12
发明人:  谈笑天;  郑厚植;  刘 剑;  杨富华
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光学自旋注入方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-10-21, 公开日期: 4010
发明人:  张 飞;  郑厚植;  肖文波;  谈笑天;  孙晓明;  吴 昊;  朱 科;  罗 晶 
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Tan XT;  Zheng HZ;  Liu J;  Zhu H;  Xu P;  Li GR;  Yang FH;  Zheng HZ Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Microstruct & Superlattices POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: hzzheng@semi.ac.cn
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一种基于梯形势垒结构的增强型高迁移率场效应晶体管结构 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2009
作者:  谈笑天
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一种增强型高电子迁移率晶体管结构及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200810240933.2, 公开日期: 2011-08-30
发明人:  谈笑天;  郑厚植
Adobe PDF(444Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1383/170  |  提交时间：2011/08/30