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在锗衬底上生长无反相畴砷化镓薄膜的分子束外延方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-01-13, 2010-08-12
发明人:  王鹏飞;  吴东海;  吴兵朋;  熊永华;  詹 峰;  黄社松;  倪海桥;  牛智川
Adobe PDF(412Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：2043/296  |  提交时间：2010/08/12
无权访问的条目 期刊论文
作者:  鞠研玲;  杨晓红;  韩勤;  杜云;  倪海桥;  黄社松;  王鹏飞;  贺继方;  牛智川
Adobe PDF(317Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1560/422  |  提交时间：2010/11/23
无权访问的条目 期刊论文
作者:  She-Song, H;  Zhi-Chuan, N;  Feng, Z;  Hai-Qiao, N;  Huan, Z;  Dong-Hai, W;  Zheng, S;  She-Song, H, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: sshuang@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  方志丹;  崔碧峰;  黄社松;  倪海桥;  邢艳辉;  牛智川
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GaAs基低密度量子点、量子环分子束外延生长 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2007
作者:  黄社松
Adobe PDF(4596Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1107/36  |  提交时间：2009/04/13
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Huang, SS (Huang She-Song);  Niu, ZC (Niu Zhi-Chuan);  Ni, HQ (Ni Hai-Qiao);  Zhan, F (Zhan Feng);  Zhao, H (Zhao Huan);  Sun, Z (Sun Zheng);  Xia, JB (Xia Jian-Bai);  Niu, ZC, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zcniu@semi.ac.cn
Adobe PDF(446Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：960/310  |  提交时间：2010/03/29
无权访问的条目 期刊论文
作者:  牛智川;  黄社松;  龚政;  方志丹;  倪海桥;  孙宝权;  李树深;  夏建白
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一种低密度InAs量子点的分子束外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910235334.6, 公开日期: 2011-08-30
发明人:  牛智川;  倪海桥;  王海莉;  贺继方;  朱岩;  李密峰;  王鹏飞;  黄社松;  熊永华
Adobe PDF(723Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1796/204  |  提交时间：2011/08/30