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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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1998 5TH I... [2]
MATERIALS ... [1]
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Improvement of thin silicon on sapphire (SOS) film materials and device performances by solid phase epitaxy
会议论文
MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY, 72 (2-3), BEIJING, PEOPLES R CHINA, JUN 13-18, 1999
作者:
Wang QY
;
Nie JP
;
Yu F
;
Liu ZL
;
Yu YH
;
Wang QY Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Solid Phase Epitaxy
SilicOn On Sapphire (Sos)
Carrier Mobility
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Wang QY
;
Nie JP
;
Yu F
;
Liu ZL
;
Yu YH
;
Wang QY,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Beijing 100083,Peoples R China.
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提交时间:2010/08/12
Improvement of CMOS SOS devices characteristics by a modified solid phase epitaxy
会议论文
1998 5TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED CIRCUIT TECHNOLOGY PROCEEDINGS, BEIJING, PEOPLES R CHINA, OCT 21-23, 1998
作者:
Liu ZL
;
He ZJ
;
Yu F
;
Nie JP
;
Yu YH
;
Liu ZL Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:1645/356
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提交时间:2010/10/29
Sapphire Films
Silicon
JFET SOS devices: Processing and gamma radiation effects
会议论文
1998 5TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED CIRCUIT TECHNOLOGY PROCEEDINGS, BEIJING, PEOPLES R CHINA, OCT 21-23, 1998
作者:
Nie JP
;
Liu ZL
;
He ZJ
;
Yu F
;
Li GH
;
Nie JP Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Silicon